물리적 컴퓨팅 (Physical computing)은 에너지 효율적인 데이터 처리를 위해 복잡한 동적 시스템 (dynamical systems)을 활용합니다. 본 연구에서는 $\text{SiO}_2$/Si 기판 위에서 분자 접합 (molecular junctions)에 의해 상호 연결된 금속 나노입자 기반의 뉴로모픽 아키텍처 (neuromorphic architecture)를 제시합니다. 우리는 주변의 정적 제어 전극 (static control electrodes)이 이 나노입자 네트워크를 수동적인 리저버 (passive reservoir)에서 튜닝 가능한 비선형 동적 시스템 (tunable nonlinear dynamical system)으로 변환함을 입증합니다. 이러한 전극들이 단순한 1차원 전압 입력을 어떻게 다차원 신호 응답으로 경로를 지정하는지 분석함으로써, 계산 성능을 극대화하기 위한 세 가지 핵심 설계 규칙을 수립합니다. 첫째, 시스템의 차단 주파수 (cutoff frequency) 근처에서 작동하면 비선형 전하 터널링 (nonlinear charge tunneling)과 선형 정전 용량 메모리 (linear capacitive memory) 사이의 최적의 균형을 달성할 수 있습니다. 둘째, 하부 $\text{SiO}_2$ 두께를 조절하면 정전기적 차폐 길이 (electrostatic screening length)가 설정되어 메모리 유형을 결정합니다. 두꺼운 산화물 층은 차폐 길이를 감소시켜, 이 길이보다 큰 네트워크를 지속적이고 비휘발성 (non-volatile)과 유사한 영역으로 전이시킵니다. 반대로, 차폐 길이보다 작은 네트워크는 사라지는 메모리 (fading memory) 특성만을 보입니다. 셋째, 이질적인 분자 접합을 통해 구조적 무질서 (structural disorder)를 도입하면 표현력 (expressivity)에 대한 내재적 한계를 극복할 수 있습니다. 네트워크의 계산 표현력은 물리적 크기에 따라 확장되지만, 궁극적으로는 차폐 길이에 의해 제한됩니다. 국부적인 무질서로 내부 공간 대칭성을 깨뜨리면 이러한 포화 상태를 우회할 수 있으며, 이를 통해 제어 전압이 특정 신호의 진폭과 위상을 독립적으로 조작할 수 있게 하여 동적 뉴로모픽 응용 분야를 위한 성능을 보편적으로 극대화합니다.