메모리 시장이 매우 뜨겁게 달아오르고 있으며, 4월 2일에 출시된 이 섹터 전용 신규 상장지수펀드 (ETF)는 이미 가치가 두 배 이상 상승했습니다. 해당 ETF는 최초의 메모리 ETF인 DRAM – Roundhill Memory ETF (NYSEMKT: DRAM)입니다. 하지만 문제는 이 ETF가 짧은 기간 동안 보여준 강력한 성과 이후에도 여전히 매수할 만한 것인지입니다.

이 ETF의 보유 자산은 주로 3대 DRAM 제조사인 Micron Technology (NASDAQ: MU), SK Hynix, 그리고 Samsung이 지배하고 있습니다. 이 세 종목은 합쳐서 펀드 포트폴리오의 73% 이상을 차지합니다. 그래픽 처리 장치 (GPU) 및 기타 AI 칩과 함께 패키징되는 DRAM의 특수 형태인 고대역폭 메모리 (HBM)에 대한 수요가 급증함에 따라 DRAM 시장의 가격이 치솟고 있습니다. 전체 DRAM 시장은 공급 제한 상태에 있으며, 이는 HBM이 일반 DRAM보다 3배 이상의 웨이퍼 용량을 필요로 함에 따라 더욱 악화되고 있습니다.

*2009년에 Nvidia를 놓치셨나요? 이 희귀한 신호가 다시 나타나고 있습니다. 2009년에는 잘 알려지지 않은 칩 제조사인 Nvidia에 대해 "Double Down" 신호가 나타났습니다. 수년 만에 처음으로, 동일한 "Total Conviction" 신호가 Nvidia 크기의 1/100에 불과한 기업에 대해 나타나고 있습니다. *계속 읽기 »

DRAM 시장의 수급 역학은 3대 주요 기업의 매출이 급증하고 매출 총이익률 (Gross margins)이 팽창하는 결과로 이어졌습니다. 이러한 성장에도 불구하고, 업계가 역사적으로 매우 큰 호황과 불황 (Boom-and-bust) 사이클을 겪어왔기 때문에 이들의 주가는 여전히 저렴한 편입니다. 그러나 세 기업 모두 처음으로 HBM에 대해 3~5년 단위의 장기 계약을 체결하기 시작했으며, 이는 업계가 통상적으로 운영되는 악명 높은 단기 계약 방식에서 큰 변화를 의미합니다. 이는 DRAM 사업의 가시성을 높이고 주기성 (Cyclicality)을 일부 완화하는 동시에, 사업의 하한선을 높이는 데 도움이 될 것입니다.

주목할 점은, 이 ETF가 초기에 Micron에 대해 했던 것처럼 포지션을 취하기 위해 때때로 레버리지 (Leverage) 및 총수익 스왑 (Total Return Swap) 파생상품을 사용한다는 것입니다. 이는 추가적인 변동성 (Volatility)과 리스크 (Risk)를 더할 수 있습니다. 하지만 레버리지 ETF (Leveraged ETF) 수준까지는 아니며, 주로 세금 목적 및 특정 주식에 대한 노출도 (Exposure)를 높이기 위한 방법으로 활용됩니다. Roundhill은 그러한 유형의 레버리지를 원하는 투자자들을 위해 Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF (NYSEMKT: RAM)라는 별도의 레버리지 버전 ETF를 제공하지만, 이는 매우 위험합니다.

국제 메모리 시장에 노출될 수 있는 훌륭한 방법

DRAM – Roundhill Memory ETF의 장점 중 하나는 투자자들에게 국제적인 메모리 기업들에 대한 노출 (Exposure)을 제공한다는 점입니다. 일반적으로 DRAM 시장에 대한 노출을 원하는 대부분의 미국 투자자들은 단순히 Micron에 투자하는 반면, NAND (플래시) 시장에 관심이 있는 이들은 Sandisk에 투자합니다.