삼성전자, 차세대 AI 메모리 기술 공개

요약

삼성전자가 zHBM, zNAND-O 컨셉 모델을 포함한 차세대 AI 메모리 포트폴리오와 기술 로드맵을 공개했습니다. 새로운 웨이퍼 본딩 기술을 적용하여 400단 이상의 레이어를 갖춘 V10 BV-NAND 도입을 발표했습니다.

핵심 포인트

• zHBM 및 zNAND-O 컨셉 모델 프리뷰 공개
• 웨이퍼 본딩 기술을 통한 400단 이상 V10 BV-NAND 도입
• 차세대 AI 메모리 기술 로드맵 발표