[단독] D램 '마의 10나노 벽' 뚫은 삼성전자...첫 워킹다이 뽑았다

QM포시포시

2026.04.24 15:53

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본문 요약

삼성전자가 D램(DRAM) 공정 기술에서 '마의 10나노 벽'을 돌파했다고 단독 보도되었습니다.

주요 내용

• 기술적 성취: 삼성전자는 기존에 극복하기 어려웠던 10나노 공정의 한계를 넘어서는 데 성공했습니다.
• 실증 결과: 이 기술의 가능성을 입증하기 위해 첫 번째 '워킹다이(Working Die, 실제 동작이 가능한 웨이퍼)'를 성공적으로 추출했습니다.

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