
Tesla의 2nm급 공정 노드를 사용한 AI5, 삼성 파운드리에서 테이프아웃 완료 — TSMC보다 몇 달 뒤 양산 시작 예정
요약
Tesla가 2nm급 공정을 활용한 AI5 칩을 삼성 파운드리에서 테이프아웃 완료했습니다. 이 칩은 차량, 로봇, 데이터센터 등 다양한 분야에 사용될 예정입니다. AI5는 가속기 다이와 12개의 GDDR6/GDDR7 메모리 패키지를 통합한 모듈 형태로 설계되었습니다.
핵심 포인트
- Tesla의 AI5가 삼성 파운드리에서 2nm급 공정으로 테이프아웃 완료.
- AI5는 차량, 로봇, 데이터센터 등 다방면에 활용될 예정입니다.
- 12개의 GDDR6/GDDR7 메모리 패키지를 통합하여 넓은 메모리 대역폭을 확보했습니다.
삼성 파운드리의 수석 엔지니어는 LinkedIn 게시물을 통해 Tesla의 AI5 칩이 회사의 2nm급 공정 기술을 사용하여 삼성 파운드리에서 대량 생산에 곧 들어갈 것이라고 공개했습니다. Sawyer Merritt가 이를 주목했습니다. 알고 보니, 이 칩은 최근 테이프아웃을 마쳤습니다.
더 깊이 알아보기: 칩 제조 (Chipmaking)

(이미지 출처: tsmc)
- 칩 제조 공급망 심층 분석
- [TSMC의 1,650억 달러 미국 투자 검토](https://www.tomshardware.com/tech-industry/tsmc-expands-investments-in-the-u-s-to-usd165-billion-with-ne
일론 머스크는 4월 중순에 테슬라의 AI5 첫 샘플을 시연했으며, 이 프로세서가 TSMC와 삼성 파운드리 양쪽에서 동시에 제작될 것이라고 공개했습니다. 놀랍게도, TSMC 공정 기술로 구현된 AI5가 삼성 파운드리를 사용한 AI5보다 몇 달 앞서 테이프아웃에 도달했다고 합니다.
일론 머스크가 4월에 시연한 테슬라의 AI5 프로세서 모듈은 비교적 작게 설계된 가속기 다이(accelerator die) — 머스크가 이전에 언급했듯이 레티클(reticle) 절반 크기 정도 — 와 표준 GDDR6 또는 GDDR7 장치로 보이는 12개의 SK hynix 메모리 패키지를 통합하고 있습니다. 이 패키지는 유기 기판(organic substrate)에 의존하며, 메모리 구성 요소는 일반적인 독립형 DRAM 칩과 유사하게 라벨링되어 있습니다.
테슬라는 AI5의 메모리 서브시스템 폭을 공개하지 않았지만, 12개의 메모리 패키지 존재는 비교적 넓은 외부 메모리 인터페이스를 시사합니다. 만약 이 모듈이 실제로 12개의 GDDR6 또는 GDDR7 IC를 사용한다면, 프로세서는 384비트의 메모리 버스를 갖게 될 것입니다. 사용되는 메모리 기술과 전송 속도에 따라, 이는 768 GB/s에서 최대 1.536 TB/s에 이르는 메모리 대역폭으로 변환될 수 있습니다.
회사는 AI5의 최고 컴퓨팅 성능이나 다른 상세 성능 사양을 공개하지 않았지만, 머스크는 이전에 특정 워크로드에서 AI5가 이전 세대 대비 최대 40배의 성능 향상을 제공할 수 있다고 주장한 바 있습니다.
머스크는 AI5가 역사상 가장 많이 생산될 칩 중 하나가 될 것으로 예상하며, 이것이 테슬라가 이를 제작하기 위해 두 개의 파운드리(foundry)를 사용하려는 이유입니다. AI5는 테슬라 차량, 테슬라 로봇, 그리고 테슬라의 데이터 센터에 사용될 예정입니다.
AI 자동 생성 콘텐츠
본 콘텐츠는 Tom's Hardware의 원문을 AI가 자동으로 요약·번역·분석한 것입니다. 원 저작권은 원저작자에게 있으며, 정확한 내용은 반드시 원문을 확인해 주세요.
원문 바로가기