SK하이닉스, HBM 하이브리드 본딩 기술에서 삼성전자에 뒤처지며 어려움 겪어

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SK하이닉스 미래기술연구소의 공정 개발 엔지니어가 담낭과의 인터뷰에서 밝힌 바에 따르면, SK하이닉스는 HBM 메모리용 하이브리드 본딩 기술 개발에 어려움을 겪고 있는 것으로 알려졌습니다. 이러한 문제는 SK하이닉스가 아직 샘플 생산을 시작하지 못할 정도로 심각한 수준인 반면, 삼성은 이미 하이브리드 본딩 기술을 적용한 HBM 샘플을 고객에게 공급하고 있는 것으로 전해졌습니다. 만약 이 내용이 사실이라면, 매출 기준 세계 HBM 시장 점유율 1위를 차지하고 있는 SK하이닉스에게는 큰 타격이 될 수 있습니다. 이는 더 높은 용량, 더 나은 성능, 그리고 더욱 발전된 기술을 요구하는 고객들 사이에서 시장 점유율 하락으로 이어질 가능성이 있습니다.

하이브리드 본딩은 두 개의 실리콘 칩 사이에 내장된 금속 범프를 접합하여 하나의 칩을 형성하는 기술입니다. 여러 개의 다이 또는 전체 실리콘 웨이퍼를 두 칩의 후면을 쌓아 연결함으로써 구현할 수 있습니다. 이 기술은 기존의 칩 범프를 없애고 두 칩 사이의 구리 연결을 직접 접합합니다. 기본적으로 하이브리드 본딩은 거리를 단축하여 지연 시간을 줄이고 성능을 향상시키며 신호 왜곡을 낮추는 등 다양한 이점을 제공합니다.

이러한 변화가 SK하이닉스의 시장 점유율에 어떤 영향을 미칠지는 고객의 요구와 의견에 달려 있습니다. 예를 들어, 현재 HBM3E와 HBM4가 주를 이루는 HBM 출하량 시장에서 SK하이닉스는 50%의 점유율로 선두를 달리고 있으며, 삼성은 33%를 차지하고 있습니다. SK하이닉스는 과거 HBM 메모리 시장에서 64%의 점유율을 기록했지만, 삼성의 성장세에 힘입어 현재 50%로 소폭 하락했습니다.