뒷마당 클린룸에서 RAM 제작 도전: 12pF 커패시턴스 메모리 셀 구현

요약

테크 유튜버 'Dr. Semiconductor'가 뒷마당 창고를 Class 100 반도체 클린룸으로 개조하여 직접 DRAM 메모리 셀 어레이 제작에 성공했습니다. 이 과정은 전문적인 반도체 공정(산화, 포토레지스트 코팅, UV 노광, 식각, 도핑, 금속 배선 등)을 집에서 재현한 것으로, 12pF 커패시턴스를 가진 메모리 셀을 구현하며 DIY 반도체 제작의 가능성을 보여줍니다. 이는 향후 PC에 연결할 대규모 메모리 어레이를 구축하기 위한 기초 작업입니다.

핵심 포인트

• DIY 반도체 제작: 테크 유튜버가 뒷마당 창고를 Class 100 클린룸으로 개조하여 DRAM 셀을 직접 제작하는 데 성공했습니다.
• 핵심 공정 재현: 실리콘 웨이퍼 준비부터 산화막 형성(330nm), 포토레지스트 코팅, UV 노광, 식각(etching), 도핑(doping), 금속 배선(metallization) 등 복잡한 반도체 공정을 성공적으로 수행했습니다.
• 성능 지표 달성: 제작된 DRAM 메모리 셀은 12pF의 커패시턴스를 측정하여 취미가 수준에서 만족할 만한 성능을 보여주었습니다.
• 향후 계획: 이번 소규모 성과를 바탕으로 더 큰 규모의 메모리 셀 어레이를 준비하고, 궁극적으로는 PC에 연결하는 것을 목표로 하고 있습니다.