SemiAnalysis에 따르면, Kirin 9030의 금속 피치(Metal Pitch)는 32.5nm로 측정되었으며, 이는 EUV 없이 달성한 수치로 Intel 18A를 약 10% 앞서는 성능입니다.

SemiAnalysis는 Kirin 9030의 금속 피치(Metal Pitch)를 32.5nm로 측정했습니다. 이는 Intel 18A보다 약 10% 더 우수한 수치이며, EUV 없이 이루어낸 결과입니다.

주요 사실

• Kirin 9030 금속 피치(Metal Pitch): 32.5nm.
• Intel 18A 금속 피치(Metal Pitch): ~36nm (약 10% 더 큼).
• SMIC는 EUV가 없으며, DUV 리소그래피(Lithography)를 사용함.
• 이 칩은 Huawei의 최신 플래그십 스마트폰에 탑재됨.

SemiAnalysis는 Huawei의 최신 플래그십 스마트폰에 들어가는 HiSilicon의 Kirin 9030 칩에 대한 전자 현미경 이미지를 공개했습니다. @SemiAnalysis_에 따르면, 가장 작은 금속 피치(Metal Pitch)는 32.5나노미터(nanometers)로 측정되었습니다. 이는 Intel의 최신 선단 공정 노드인 Intel 18A보다 더 미세합니다. EUV를 보유하지 않은 중국 파운드리가 Intel의 EUV 노드보다 약 10% 더 미세한 피치를 구현해낸 것입니다.

이 결과는 놀라운데, Kirin 9030을 생산할 가능성이 높은 파운드리인 SMIC가 ASML의 EUV 장비 접근을 차단하는 미국의 수출 통제를 받고 있기 때문입니다. 대신 SMIC는 해상도가 더 낮은 심자외선(DUV) 리소그래피(Lithography)를 사용합니다. 32.5nm 피치는 SMIC가 대부분의 업계 관측통들이 가능하다고 생각했던 수준 이상으로 DUV 멀티패터닝(Multipatterning)을 밀어붙였음을 의미합니다. 반면 Intel의 18A 노드는 EUV를 사용하며, Panther Lake 프로세서를 목표로 하는 Intel의 가장 진보된 공정입니다.

SemiAnalysis는 "가장 진보된 장비로부터 차단되어 EUV 없이 운영되는 중국 파운드리가 Intel의 선단 EUV 노드보다 배선을 약 10% 더 조밀하게 배치하고 있다"고 언급했습니다. 이 발견은 수출 통제의 실효성과 SMIC가 새로운 패터닝(Patterning) 기술을 개발했는지에 대한 의문을 제기합니다. 또한 이미 지연을 겪고 있는 Intel의 공정 로드맵에도 압박을 가하고 있습니다.

SMIC가 이를 수행하는 방법

Is SMIC N+3's Metal Pitch Smaller than Intel 18A's?

DUV를 사용하여 32.5nm 금속 피치 (Metal Pitch)를 달성하려면 공격적인 자기 정렬 4중 패턴화 (SAQP, Self-Aligned Quadruple Patterning) 또는 이와 유사한 멀티 패턴화 (Multi-patterning) 방식이 필요합니다. 일반적으로 SAQP를 이용한 DUV의 금속 피치 해상도 한계는 약 38-40nm 수준입니다. SMIC는 오버레이 (Overlay) 정확도를 개선했거나 새로운 스페이서 (Spacer) 재료를 사용하여 35nm 미만으로 밀어붙였을 가능성이 있습니다. 정확한 방법은 공개되지 않았으며, SemiAnalysis는 전체 공정 분석을 제공하지 않았습니다.

칩 전쟁에 미치는 영향

Kirin 9030의 결과는 EUV에 대한 수출 통제가 완전한 봉쇄는 아니라는 점을 시사합니다. 만약 SMIC가 DUV로 Intel 18A의 밀도에 근접할 수 있다면, 중국과 서방 파운드리 (Fab) 사이의 격차는 예상보다 좁을 수 있습니다. 하지만 금속 피치는 하나의 지표일 뿐입니다. 트랜지스터 성능, 전력 소비, 그리고 수율 (Yield)은 여전히 미지수입니다. Huawei와 SMIC는 해당 측정값에 대해 언급하지 않았습니다.

주목해야 할 점

TechInsights 또는 기타 역공학 (Reverse-engineering) 기업들에 의한 32.5nm 피치의 독립적인 검증을 지켜봐야 합니다. 또한, 2026년 2분기 실적 발표에서 Intel의 18A 수율 공개 여부도 주목해야 합니다. 만약 Intel이 명확한 밀도 및 성능 우위를 입증하지 못한다면, 미국의 공정 리더십에 대한 서사는 약화될 것입니다.

_ [21 Jul 업데이트, tomshardware 경유]

Tom's Hardware의 보도에 따르면, SMIC의 N+3 공정은 제곱밀리미터당 약 5,200만 개의 트랜지스터 밀도를 달성하며, 이는 TSMC의 N6 노드와 비교할 만한 수준입니다 [Tom's Hardware 인용]. 그러나 해당 노드는 경쟁력 있는 성능이나 전력 효율을 제공하지 못하는 것으로 알려졌으며, 이는 밀도 이득이 트레이드오프 (Trade-off)를 동반함을 시사합니다.

원문 출처: gentic.news