Kioxia와 Sandisk는 진행 중인 Future of Memory and Storage Conference를 통해 최신 BiCS10 3D QLC NAND 장치를 공식적으로 소개했습니다. 이 장치는 세계 최고 수준의 면적당 밀도 (areal density)를 특징으로 하며, 데이터 센터 내 저장 밀도를 극대화하기 위해 설계된 고용량 데이터 센터급 솔리드 스테이트 드라이브 (SSD)를 목표로 합니다. 이 새로운 IC는 29 Gb/mm² 이상의 면적당 밀도를 제공하는 Kioxia와 Sandisk의 BiCS 3D TLC NAND 장치의 다음 단계입니다.

FMS에서 소개된 Kioxia와 Sandisk의 BiCS10 3D QLC NAND 장치는 37 Gb/mm²의 면적당 밀도를 특징으로 하며, 이는 현재까지 공식적으로 소개된 것 중 세계에서 가장 밀도가 높은 3D NAND 저장 장치입니다. 이 장치는 332개의 활성 레이어 (active layers)와 별도의 명령 주소 (SCA, separate command address) 기능을 갖춘 최대 4,800 MT/s 인터페이스를 특징으로 하지만, 제조사들은 IC의 실제 용량은 공개하지 않았습니다. 일반적으로 지난달에 소개된 1Tb BiCS10 3D TLC NAND 칩과 동일한 메모리 셀 수 및 대략적으로 동일한 다이 (die) 크기를 가정할 때, 새로운 메모리 장치는 1.33 Tb의 용량을 가질 것으로 추측됩니다.

NAND 레이어 수
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Sandisk/Kioxia

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Sandisk/Kioxia

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Kioxia/Sandisk

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Samsung

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Samsung

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Micron

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SK hynix

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YMTC

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YMTC

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세대 (Generation)

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BiCS10

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BiCS10

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BiCS 8

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V10

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V9

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Gen 9 (G9)

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Gen 9

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?

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Xtacking 3.0/Gen 4

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레이어 (Layers)

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332-Layer

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332-Layer

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218-Layer

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4xx-Layer

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290-Layer (?)

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276-Layer

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321-Layer

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232-Layer

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232-Layer

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밀도 (Density)

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37 Gb/mm^2

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29 Gb/mm^2

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22.9 Gb mm^2 (?)

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28 Gb mm^2

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17 Gb mm^2

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21.0 Gb mm^2

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20 mm^2

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20 Gb mm^2

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19.8 Gb mm^2

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아키텍처 (Architecture)

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QLC

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TLC

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QLC

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TLC

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TLC

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TLC

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TLC

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TLC
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QLC
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Die Capacity (다이 용량)
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?
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1 Tb
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2 Tb
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1 Tb
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1 Tb
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1 Tb
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1 Tb
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1 Tb
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1 Tb
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I/O Speed (I/O 속도)
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Up to 4800 MT/s
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Up to 4800 MT/s
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Up to 3600 MT/s
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Up to 5600 MT/s
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Up to 3200 MT/s
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Up to 3600 MT/s
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?
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?
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?
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기록적인 저장 밀도를 갖춘 새로운 BiCS10 3D QLC NAND 플래시 IC는 플래시 메모리의 고속 I/O를 통해 대용량과 준수한 성능을 모두 제공해야 하는 데이터 센터급 SSD를 겨냥하고 있습니다. 이러한 애플리케이션은 전력 소비를 줄이는 것도 목표로 하기 때문에, Kioxia와 Sandisk는 신호 무결성 (Signal Integrity)을 희생하지 않으면서 고속 출력 드라이버에 의해 소비되는 전력을 줄이도록 설계된 전력 격리 저탭 종단 (power-isolated low-tapped termination, PI-LTT) 기술을 구현했습니다.

Kioxia와 Sandisk는 최신 BiCS10 공정 기술을 사용하여 BiCS10 3D QLC NAND 장치를 생산하므로, 기록적인 비트 밀도를 달성할 뿐만 아니라 수율이 목표 수준에 도달하면 경쟁사의 고밀도 3D QLC NAND IC에 비해 비용을 낮출 수 있습니다. 결과적으로 두 회사는 경쟁사보다 낮은 가격으로 초고용량 SSD를 제공하거나, 유사한 가격에 판매하면서 더 높은 마진을 확보할 수 있을 것입니다.

Sandisk의 최고 기술 책임자(CTO)인 Alper Ilkbahar는 "QLC NAND의 성능과 효율성 범위를 재정의함으로써, 우리의 10세대 BiCS QLC 3D 플래시 메모리는 밀도, 대역폭 및 에너지 효율성에서 동시에 이득을 제공하며, 차세대 인프라 애플리케이션을 위한 확장 가능한 기반을 제공하기 위해 고용량 플래시 스토리지의 새로운 패러다임을 구축합니다"라고 말했습니다.

Kioxia와 Sandisk는 BiCS10 3D NAND 장치를 주로 데이터 센터급 스토리지(즉, 용량과 성능이 필요한 AI 지향적 SSD)에 사용할 계획이므로, 이러한 IC를 클라이언트 SSD에서 조만간 볼 수 있을지는 지켜봐야 할 것입니다.