출처를 인용한 Tim Culpan에 따르면, Elon Musk의 Terafab은 내년 중반에 첫 EUV 리소그래피(lithography) 장비를 받게 될 것이라고 보도했습니다. 하지만 SemiAnalysis의 분석에 따르면, 이 회사의 개발 팹(fab) 외관이 2027년 말까지 완성되지 않을 것이며, 장비가 그해 후반에야 이동하기 시작할 것이기 때문에 스캐너는 일정 기간 동안 유휴 상태로 있을 것입니다.
Tesla는 지난 4월 오스틴 근처 Giga Texas의 북부 캠퍼스에서 연구 팹(research fab) 부지를 개척했습니다. SemiAnalysis는 이 건물이 15개월 만에 완성될 것으로 예상하며, Tesla가 장비를 설치하고 생산 장비까지 갖추는 데 추가로 6개월이 걸릴 것으로 예측합니다. 그 이후에야 웨이퍼 가공을 시작하거나, 더 정확히 말해 Terafab의 볼륨 팹(volume fab) 1단계 완료를 위해 팀을 준비하는 칩 생산 실험을 할 수 있을 것입니다.
요즘 ASML Twinscan NXE EUV 리소그래피 장비를 구하기가 매우 어렵기 때문에, 사용하기 몇 달 동안 보관한다는 것은 비싼 공백 기간처럼 들릴 수 있지만, 이는 전통적인 칩 제조업체에게 Terafab이 직면할 심각한 재정적 문제는 아닙니다.
Terafab에 기존 EUV 리소그래피 시스템이 예상되는 납품 일정은 또한 Elon Musk가 리소그래피 장비에 대해 자유전자 레이저(free electron laser, FEL) 광원을 칭찬했음에도 불구하고, 그의 반도체 생산 회사의 초기 세대 노력은 더 전통적인 장비에 의존할 것임을 시사합니다. 이는 그리 놀랍지 않은데, Terafab이 Intel의 14A 제조 기술를 사용하도록 설정되어 있기 때문입니다. 14A는 기존의 Low-NA EUV 스캐너뿐만 아니라 차세대 High-NA EUV 장비도 사용할 것입니다.
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(Image credit: tsmc)
비전통적이고 상당 부분 테스트되지 않은 광원을 사용하는 리소그래피 시스템은 제조 공정의 대대적인 수정, 광범위한 장비 검증, 그리고 포토마스크 및 포토레지스트의 잠재적 변경을 필요로 할 것이며, 이는 Intel의 14A 기술 이전을 복잡하게 만들고 Terafab의 생산 가동(production ramp)을 지연시킬 것입니다.
하지만 표준 리소그래피 장비를 사용한다는 것이 Musk의 회사가 Intel이 사용하는 것과 다른 도구를 사용할 계획이 없다는 것을 의미하지는 않습니다. 다만 현재로서는 Terafab 엔지니어들이 공장 구성 측면에서 무엇을 변경할지에 대해 추측하기에는 너무 이른 시점입니다.
SpaceX는 2026년 8월 초에 테라팹(Terafab)의 부지로 그라임스 카운티(Grimes County)를 선정했다고 발표했습니다. 현재 Joe Tegtmeyer가 9월 중순에 공개한 드론 영상에는 부지 북서쪽 부분에서 기초 굴착과 철근 케이지 설치 모습이 포착되어, 공사 업체들이 9월 초부터 구조물 건설을 시작했음을 시사합니다. 다만, 이 기초의 정확한 용도는 알려지지 않았습니다.
현재 SemiAnalysis에 따르면, 테라팹 그라임스(Terafab Grimes) 프로젝트 1단계는 20개월에 걸쳐 건설되고, 17개월에 걸쳐 장비가 갖춰지며, 6개월 만에 양산 단계에 진입할 예정입니다. 분석가들은 이 공장이 2029년 말에 운영을 시작하고, 2030년 중반까지 양산 규모로 확대될 것으로 예상합니다.
테라팹의 대규모(volume) 공장에 대한 흥미로운 점은, SpaceX가 그라임스 카운티 위치를 공식 발표하기 몇 달 전인 2026년 4월에 반도체 제조 장비를 주문했다는 보고입니다. 이는 회사가 대중적인 착공식보다 훨씬 이전에 제조 계획을 확정했음을 나타냅니다. 또한, 첨단 반도체 제조 장비와 관련된 긴 리드 타임(lead times)을 고려할 때, 2028년 중반의 장비 설치 예측이 그럴듯하게 만듭니다.
Intel은 모든 것이 계획대로 진행된다면, 2027년 하반기에 14A (1.4nm급) 제조 공정을 사용하여 리스크 생산(risk production)을 시작하고, 2028년 하반기부터 고용량 제조(HVM: High-Volume Manufacturing)를 개시할 계획입니다. 이는 Intel의 HVM 진입 시점이 SpaceX의 테라팹 그라임스 1단계보다 최소 1.5년 앞선 것입니다.
이는 Terafab이 검증된 첨단 제조 기술(그리고 아마도 괜찮은 수율을 가진)을 얻게 되겠지만, 2029년 말 TSMC가 A12 공정으로 칩의 양산에 착수함에 따라 그 시점의 절대적으로 최고의 생산 노드는 아닐 것이라는 것을 의미합니다. A12는 TSMC의 2세대 nanosheet GAA 트랜지스터와 백사이드 전력 공급을 갖춘 1.2nm급 공정입니다. 인텔 역시 같은 시기에 14A-P 노드를 공개하는 데 근접해 있습니다.
그럼에도 불구하고, Terafab이 SpaceX, Tesla, xAI만을 독점적으로 서비스할 가능성이 높기 때문에, 약간 덜 진보된 노드는 회사에 큰 문제가 되지 않을 것입니다. 왜냐하면 더 정교한 제조 기술을 사용하는 데 따르는 잠재적인 비용 증가는 자체 생산 시설을 사용함으로써 상쇄될 것이기 때문입니다.
