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중국 메모리 칩 제조업체 CXMT가 최근 삼성, SK하이닉스, 마이크론 등 기존 메모리 업계 거물들을 2년 앞지르겠다고 주장한 것은 허풍에 불과하다고 로젠블랫 애널리스트들은 분석했습니다. CXMT의 차오 칸위 사장은 최근 상하이에서 열린 집적회로 및 칩렛 컨퍼런스에서 DRAM 메모리 칩 어레이에서 비트 라인과 워드 라인이 교차하는 영역을 줄여 메모리 칩을 제조할 계획이라고 밝혔습니다.
로젠블랫의 평가는 뱅크 오브 아메리카의 분석과도 일치하는데, 뱅크 오브 아메리카는 미국이 EUV 칩 제조 장비에 대한 제재를 가하면서 CXMT가 4F² 기술을 도입할 수밖에 없었다고 덧붙였습니다.
CXMT의 4F² 기술 주장은 칩 제조에 구형 DUV 리소그래피 장비가 사용될 예정이므로 인상적이지 않다고 분석가는 말했다.
DRAM 메모리 칩 제조에서, 1비트의 데이터를 저장하는 기본 셀은 비트 라인, 워드 라인, 커패시터, 트랜지스터로 구성된 1T1C 아키텍처로 이루어져 있습니다. 이 중 비트 라인은 데이터 전송을 담당하고, 워드 라인은 스위치를 켜고 끄는 역할을 합니다. 커패시터는 데이터 비트를 나타내는 전하를 저장하는 역할을 합니다.
일반적으로 6F²라고 불리는 표준 설계는 비트 라인과 워드 라인 사이에 트랜지스터(필러라고도 함)가 오프셋 그리드 패턴으로 엇갈리게 배치됩니다. 반면, 4F²는 중요한 비트 라인과 워드 라인 위에 필러를 배치하여 메모리 셀의 면적을 줄임으로써 설계를 최적화합니다.
4F² 셀이 면적을 줄일 수 있는 이유는 6F² 셀 설계에서 수평으로 배치되는 비트 라인 접점, 커패시터 및 트랜지스터를 수직으로 쌓기 때문입니다.
그 결과, 4F² 설계는 기존 설계 대비 면적을 최대 50%까지 줄이면서도 전력 소비 및 성능 면에서 기존 설계 대비 향상된 결과를 제공합니다.
하지만 이 방정식에서 핵심적인 역할을 하는 것은 제조 공정 기술입니다. 10나노미터와 같은 최신 노드는 메모리 셀의 하프 피치를 줄여 면적을 축소하는데, 이는 4F² 수직 적층 기술을 통해서도 가능해졌습니다. 반도체 설계에서 하프 피치는 동일한 특징 간 거리의 절반을 의미합니다. 메모리 칩의 경우, 특징은 비트 라인 및 위에서 언급한 기타 구성 요소를 가리킵니다.
결과적으로 CXMT는 하프 피치 비아 제작을 줄이기 위한 EUV 리소그래피 장비를 확보할 수 없기 때문에 4F²에 의존할 수밖에 없다고 뱅크 오브 아메리카의 보고서는 밝혔다.
분석가들은 비용 및 기타 문제로 인해 빅3 업체들이 4F² 메모리 셀 설계에 집중하지 못했다고 말합니다.
BofA는 6F² 아키텍처가 DDR4, DDR5 및 고대역폭 메모리(HBM) 메모리 칩의 업계 표준이며 10년 이상 이러한 상태를 유지해 왔다고 설명합니다. 이어서 CXMT가 ASML의 EUV 칩 제조 설비를 이용할 수 없기 때문에 4F² 아키텍처에 집중하고 있을 가능성이 높다고 덧붙입니다.
은행 측에 따르면, 주요 3대 메모리 업체는 4F² 기술을 10년 이상 개발해 왔지만, 높은 비용, 낮은 수율, 고객 인증 문제 등으로 인해 양산을 미뤄왔습니다. 특히, 콘덴서와 트랜지스터를 빽빽하게 배치하여 셀 구조가 취약해지는 것이 문제점으로 지적되었습니다.
하지만 BofA는 CXMT가 2027년과 2028년에 대량 생산에 성공하고 마이크론, 삼성, SK하이닉스가 여전히 6F²에 집중하고 있다면 CXMT가 위협이 될 수 있다고 경고 했습니다.
로젠블랫은 CXMT의 4F² 발표가 '종이호랑이'에 불과하다고 평가했습니다. 마이크론과 SK하이닉스를 언급하며, 이 금융회사는 선두 기업들이 4F²를 연구하고 있지만, 이러한 새로운 설계는 10나노미터 이하의 제조 공정 기술에 도전하는 것이며 비용 우위를 제공하지 못한다고 덧붙였습니다.
주요 메모리 제조업체 3곳은 6세대 10나노미터급 제조 공정 기술 노드를 사용하고 있는 반면, CXMT는 15나노미터 기술을 통해 4F² 제품을 생산할 예정입니다.
CXMT의 제조 장비 파트너인 나우라(Naura)는 수직 적층형 메모리 칩 생산을 가능하게 하는 획기적인 기술을 선보였 습니다.
Rosenblatt analyst Kevin Cassidy calls CXMT 4F² Paper Tiger.
October 13, 2026
The sell off in memory stocks are overblown, especailly in the near-term and overlooks structural changes for memory industry for DRAM due to AI.
DRAM industry advanced multiple process… pic.twitter.com/XMz4HHEOv2
— Revolver Ocelot (@MajorOcelot45) October 14, 2026