10세대 NAND 경쟁 본격화… 키오시아 속도전, 삼성·SK하이닉스는 조정

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10세대 NAND 경쟁 본격화… 키오시아 속도전, 삼성·SK하이닉스는 조정

10. Gen NAND-Flash: Kioxia gibt Gas, Samsung und SK Hynix treten auf die Bremse

Bild: SanDisk

Kioxia와 SanDisk가 10세대 NAND-Flash (BiCS10)에서 전속력으로 달리려는 동안, 삼성과 SK하이닉스는 속도를 늦추고 있습니다. Kioxia는 발전된 BiCS10-NAND를 현재 회계연도 2026년, 즉 늦어도 2027년 3월까지 시장에 출시할 계획이며, 이를 위해 대규모 투자를 진행하고 있습니다.

Kioxia는 이미 최근 분기 실적 발표와 함께 BiCS10 개발 가속화 계획을 발표한 바 있습니다. Tech Times의 보도에 따르면, 업계 소식통들은 "BiCS10 출시"가 현재 회계연도에 이루어질 계획임을 확인했습니다. Kioxia의 회계연도 2026년은 2026년 4월에 시작하여 2027년 3월에 종료되므로, 시장 출시가 이 달력 연도에 이루어지는 것도 가능합니다. 하지만 Digitimes (Paywall)는 이틀 뒤에 2027년 BiCS10 생산 시작에 대해 보도했습니다. 하지만 결국 동일한 소식통들이 이 정보의 배후에 있을 수 있습니다.

Kioxia와 SanDisk, 대규모 투자 진행

Kioxia는 평소와 같이 오랜 플래시 파트너인 SanDisk와 함께 BiCS10-NAND를 개발하고 있습니다. 두 회사는 올해 45억 달러의 투자를 발표한 것으로 알려졌습니다. 이는 작년보다 41% 증가한 수치이지만, 메모리 위기 동안의 높은 수익을 고려하면 문제가 되지 않습니다. 양사는 이 자금을 하나는 BiCS8의 대량 생산 확장에, 다른 하나는 전략적 우선순위로 지정된 BiCS10 개발에 투입할 계획입니다.

삼성과 SK하이닉스, V10 야심에 제동

삼성과 SK하이닉스 역시 현재 10세대 3D-NAND를 준비하고 있으며, 이는 양사 모두 "V10"이라는 이름으로 판매됩니다. 그러나 Kioxia와 SanDisk와는 달리 한국 기업들은 이에 대해 그리 서두르지 않는 것으로 보입니다. 그들의 초점은 Kioxia와 SanDisk가 가지고 있지 않은 수익성 높은 High Bandwidth Memory (HBM)에 더 맞춰져 있습니다.

여러 소식통에 따르면, 삼성은 원래 V10-NAND의 대량 생산을 2025년 하반기로 계획했던 것으로 알려졌습니다. 하지만 이제는 2026년 중반이 될 것으로 보입니다. 이로 인해 적어도 삼성은 Kioxia와 SanDisk보다 앞서 나갈 수 있습니다. SK하이닉스의 V10의 실제 양산 시작은 2027년 초로 예상됩니다.

Kioxia가 지난 여름에 공개한 계획에 따르면 5년 내에 NAND 생산량을 두 배로 늘리려고 하는 동안, 경쟁사들은 HBM 쪽으로 생산 출력을 되돌리고 있습니다.

저장 밀도 측면에서 BiCS10은 큰 진전입니다

단순히 저장 레벨(Layer)의 수가 3D-NAND의 기술적 진보에 대해서는 많은 것을 말해주지 않습니다. Kioxia와 SanDisk는 단 218 Layer임에도 불구하고, 더 많은 Layer를 가진 경쟁사들을 상대로 성공적으로 경쟁했으며 매우 높은 성능에서 유사한 저장 밀도를 제공합니다.

삼성은 V10 세대에서 이미 약 430 Layer를 목표로 하고 있지만, BiCS10은 "단지" 332 Layer임에도 불구하고 비교할 만하거나 심지어 더 높은 저장 밀도를 제공할 수 있습니다. 또한 인터페이스에서도 대규모 도약이 예상되는데, 현재 3.6 Gbit/s에서 4.8 Gbit/s로 속도가 향상될 예정입니다.

3D-NAND의 저장 밀도 (녹색: TLC, 주황색: QLC, 빨간색: PLC, 파란색: SLC)

Micron은 어떤가요?

언급된 경쟁사들의 10세대 NAND에 대한 계획이 점차 공개적인 형태를 띠고 있는 동안, 한 경쟁사는 제외됩니다: Micron입니다. 276 레이어의 G9 세대 이후 Micron에서는 G10이 이어질 예정이지만, 이에 대한 공개적인 정보는 거의 찾아볼 수 없습니다.

셀 간의 간섭을 줄이는 것으로 알려진 소위 "Confined SN" 기술의 사용이 예상됩니다. 이로 인해 메모리 셀의 수명은 물론, 셀을 기록하는 데 걸리는 시간이 10퍼센트 감소할 것으로 기대됩니다. 이는 적어도 EE World의 기사에서 언급된 내용입니다.

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원문 출처: ComputerBase

※ 해당 기사는 퀘이사존 공식 기사가 아닌 해외 뉴스/기사를 번역한 기사입니다.
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