삼성전자, 차세대 AI 메모리 기술 공개
요약
삼성전자가 zHBM, zNAND-O 컨셉 모델을 포함한 차세대 AI 메모리 포트폴리오와 기술 로드맵을 공개했습니다. 새로운 웨이퍼 본딩 기술을 적용하여 400단 이상의 레이어를 갖춘 V10 BV-NAND 도입을 발표했습니다.
핵심 포인트
- zHBM 및 zNAND-O 컨셉 모델 프리뷰 공개
- 웨이퍼 본딩 기술을 통한 400단 이상 V10 BV-NAND 도입
- 차세대 AI 메모리 기술 로드맵 발표
Samsung Office in Seoul
georgeclerk/iStock Unreleased via Getty Images
삼성전자 (Samsung Electronics, SSNLF)는 화요일에 최신 AI 메모리 포트폴리오와 기술 로드맵 (technology roadmap)을 공개했습니다.
여기에는 zHBM 및 zNAND-O 컨셉 모델의 프리뷰와 400단 이상의 레이어를 갖춘 V10 BV-NAND의 도입이 포함되어 있으며, 이는 새로운 웨이퍼 본딩 (wafer bonding) 기술을 통해 가능해진 아키텍처 (architecture)입니다.
AI 자동 생성 콘텐츠
본 콘텐츠는 Seeking Alpha Market Currents의 원문을 AI가 자동으로 요약·번역·분석한 것입니다. 원 저작권은 원저작자에게 있으며, 정확한 내용은 반드시 원문을 확인해 주세요.
원문 바로가기0