하이닉스가 HBM 다음 판을 채용 공고로 먼저 까더라.

요약

SK하이닉스가 HBM 이후의 차세대 기술인 '3D 적층 D램-온-로직' 설계를 위한 엔지니어 채용을 시작했습니다. 이는 미국 고객사와의 공동 설계를 시사하며, 온디바이스 AI 시장을 겨냥한 기술 로드맵의 구체화로 분석됩니다.

산호세 미주 법인. 3D 적층 D램-온-로직 설계 엔지니어 뽑기 시작함. 이 기술 전담 채용은 이번이 처음임.

공고 문구가 세다. 미국 고객사랑 로직 다이 공동 설계를 주도할 사람을 찾는다고 박혀 있음. 이미 특정 고객이랑 붙었다는 뜻임.

기술은 시스템 반도체 위에 D램을 직접 쌓는 구조임. 예전처럼 따로 포장해서 얹는 PoP가 아님. 연결이 짧아지고 I/O가 늘어남. 폰 온디바이스 AI가 노리는 칸임.

모바일 AP가 1순위 후보로 돈다. 애플·퀄컴 이름이 나오는 이유임.

안현 개발총괄이 4월 TSMC 심포지엄에서 이미 말함. HBM4 베이스 다이 다음은 HBF, 3D 적층 D램-온-로직이라고.

한국 계좌 관점은 단순함. HBM 독주만 사던 사람들은 다음 성장 칸이 필요했음. 양산 숫자는 아직 없음.

근데 채용 공고에 미국 고객 공동 설계까지 박혀 있음. 로드맵 슬라이드보다 한 단계 앞선 신호임.

반대 시나리오도 있다. 채용만 하고 양산이 밀리면 스토리만 남음. 그래도 HBM 다음 전선을 공개 인력 배치로 연 건 처음임.

아직 매출 칸은 아님. 인력부터 뽑기 시작한 단계. 그 단계가 공개로 보인 날임.

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