인텔은 CPU 생산을 위한 18A(약 1.8nm급) 공정 기술의 양산을 확대하고 있으며 유망한 결과를 보이고 있는 가운데, 강화된 버전인 18A-P에 대한 작업도 진행 중이며 향후 분기 내에 생산 준비가 완료될 것으로 보입니다. 인텔의 18A-P 는 더 높은 성능과 낮은 전력 소모를 가능하게 하기 위해 두 가지 새로운 유형의 트랜지스터, 더 엄격한 공정 변동성 제어, 그리고 개선된 열 관리 기능을 도입합니다. 이것이 아마도 애플 및 기타 무공정 칩 설계자들이 18A-P 사용을 고려하고 있다는 루머의 이유일 것입니다.

인텔의 기준 18A 와 비교할 때, 18A-P 공정 기술은 칩 개발자가 동일한 전력 수준에서 설계 성능을 9% 높일 수 있거나, 동일한 성능과 복잡도 수준에서 전력 소모를 18% 낮출 수 있도록 보장한다는 것이 인텔이 VLSI 2026 컨퍼런스에서 발표한 논문 내용입니다. 이러한 개선을 달성하기 위해 인텔은 고성능 장치와 향상된 접합부를 포함한 새로운 게이트-올라라운드(RibbonFET) 트랜지스터 및 새로운 저전력 장치를 도입했습니다. 이제 설계자는 임계 경로에서 더 높은 주파수를 구현하고 덜 중요한 영역에서 전력 소모를 줄일 수 있어 전체적인 성능 효율성이 크게 개선됩니다.

동시에 18A-P 는 18A 의 접합 폴리 피치(50nm) 와 라이브러리 높이(180nm 및 160nm) 를 유지하고 기본 공정과 호환되므로, 원래 18A 로 설계된 칩을 18A-P 로 포팅하여 특정 공정 수준의 개선 (새로운 트랜지스터 유형에 의존하지 않는 개선) 을 누릴 수 있습니다. 하지만 성능 및 효율성 향상을 완전히 실현하려면 설계 재최적화가 필요합니다.

인텔의 18A-P 가 기준 노드의 접합 피치를 유지하고 있음에도 불구하고, 회사는 금속 스택의 저항과 정전 용량을 조정하여 신호 속도, 전력 소모 및 타이밍에 영향을 미쳤습니다. 그러나 인텔은 이러한 변경 사항을 특성화하지는 않았습니다.

마지막으로 18A-P 는 클라이언트와 데이터 센터 애플리케이션 모두를 목표로 하는 고급 공정 기술에 필수적인 열 관리, 신뢰성, 전압 동작에서 개선을 도입합니다. 인텔은 열전도율을 50% 개선했다고 밝혔습니다.