삼성전자가 2026 년 4 월 30 일 발표한 실적 보고서에서 메모리 부문 최고 책임자 김재준은 메모리 제품 전반에 걸쳐 '심각한 부족'이 적어도 2027 년까지 지속될 것으로 경고했습니다. 회사 측에 따르면 고객들이 미래 공급을 확보하기 위해 급하게 움직이는 결과로 수요 충족률이 기록적인 저점을 찍었으며, SCMP 가 보도했습니다. 이 경고는 불과 한 주 전 실적 통화에 나선 '경쟁사'인 SK 하이닉스가 했던 발언과 거의 일치합니다.

미국의 마이크론 테크놀로지 (Micron Technology) 와 함께 삼성과 SK 하이닉스는 글로벌 DRAM 시장의 90% 이상을 장악하고 있습니다. 세계 최대 메모리 공급업체 3 곳 중 두 곳이 동시에 다년 단위 부족을 경고할 때, 우려하지 않을 수 없는 상황이죠.

이 부족 현상은 주로 인공지능 (AI) 인프라 구축 필요성에서 비롯되고 있습니다. 현대 AI 시스템은 GPU 와 가속기에 데이터를 지속적으로 공급하기 위해 엄청난 양의 고속 메모리가 필요합니다. 이 수요 급증의 중심에는 HBM (high-bandwidth memory) 이 있는데, 이는 프로세서에 물리적으로 가깝게 배치되면서 극도로 높은 대역폭을 제공하는 DRAM 의 수직 적층 형태입니다.

HBM 은 AI 가속기에 필수적이 되었습니다. 그러나 이 기술은 제조가 어렵고 비용이 많이 들어 고급 다이 적층 (die stacking), 정밀 접합, 고도화된 패키징 기술이 필요합니다. 결과적으로 공급량이 제한되어 있으며 수요는 제조사의 생산 능력 확장 속도를 따라가지 못하고 있습니다.

부족 현상은 HBM 수요로 주로 주도되고 있지만, 그 영향은 점차 광역 메모리 시장으로 확산되고 있습니다. HBM 자체가 DRAM 의 한 형태이기 때문에 제조사들은 고수익 AI 메모리 제품으로 생산 용량, 엔지니어링 자원, 투자를 재배치하고 있습니다. 이 전환은 서버, PC, 모바일 기기에 사용되는 기존 DRAM 제품의 공급이 조여지는 위험을 안고 있습니다. 또한 AI 데이터 센터는 컴퓨팅 하드웨어와 함께 거대한 저장 인프라가 필요해 기업용 SSD 수요도 높아지고 있습니다.

ironically, 업계는 현재 메모리 아키텍처가 막대한 전력을 소모한다는 이유로 대안을 모색하는 가운데, 3D X-DRAM 과 ZAM (Z-Angle Memory) 과 같은 차세대 메모리 기술 개발 노력을 최근 보도했습니다. 이 기술들은 전력 소비를 줄이고 확장성 한계를 완화하는 것을 목표로 합니다.

그러나 미래 대안에 대한 막대한 투자에도 불구하고 기존 메모리 기술에 대한 수요는 압도적입니다.

삼성전자는 반도체 부문이 2026 년 제 1 분기 동안 53.7 조 원 (361 억 달러) 의 영업이익을 기록해 회사 전체 매출의 약 94% 를 차지했습니다.