인-DRAM(In-DRAM) Rowhammer 방어 기법은 완제품 제조 시점에 완화 임계값을 고정하지만, 실제 Rowhammer 임계값(TRHD)은 런타임 온도에 따라 변합니다. 우리는 extit{동적 Rowhammer 임계값 관리}(Dynamic Rowhammer Threshold Management)를 제안합니다. 이는 방어 기법과 독립적인(defense-agnostic) 런타임 레이어로, 관측된 온도를 기반으로 각 방어 기법의 임계값을 에포크당 한 번씩 재소스화하며, 이때 VRD(Voltage Regulation Domain)에서 영감을 받은 가드밴드 $g$를 가진 선형-$T$ 모델을 사용하고 그 결과를 SALT-C, PRAC, TRR 각각의 임계값 매개변수를 통해 투영합니다. 물리적 TRHD를 DIMM별로 $ ilde{
u} ext{함수} imes ext{N}(1, ext{σ})$만큼 조정하는 분리된 오라클은 모델의 자체 일관성을 깨뜨립니다. 이 레이어는 85$^ ext{o} ext{C}$에서 PRAC의 72개 노멀-스테틱(nominal-static) 위반을 0으로 낮춥니다. $ ext{σ}=0.10$일 때 $g$를 스윕하면, PRAC 위반이 $(g=1.0)$ 38.4에서 $(g=0.9)$ 9.6으로 감소합니다. SALT-C는 10개의 노멀-스테틱 위반에서 (동적) 2개로, 그리고 (부트스트랩 시) 0개로 떨어지며, 지연 시간은 $ ext{5.1}%$ 이하입니다. TRR은 용량 제한적이며, 이 레이어는 진단 도구 역할을 합니다.