동시 다중 행 활성화(SiMRA)를 이용한 In-DRAM 시그니처 생성: 상용 DRAM 칩에 대한 실험적 연구

요약

SiMRA(동시 다중 행 활성화)를 활용하여 상용 DRAM 칩에서 고유한 시그니처를 생성하는 SiMRA-PUF 기술을 제안합니다. 실험을 통해 DDR4 DRAM에서 높은 반복 가능성과 장치 간 고유성을 입증하였으며, 기존 기술 대비 낮은 지연 시간을 확인했습니다.

핵심 포인트

• SiMRA를 이용한 최초의 DRAM 기반 PUF(SiMRA-PUF) 제안
• DDR4 DRAM 칩에서 높은 반복 가능성 및 장치 고유성 입증
• 2-행 활성화 시 기존 기술 대비 평가 지연 시간 5.75% 단축
• 다양한 행 활성화 수 및 온도 변화에 따른 신뢰성 분석 완료
• 연구 인프라 및 데이터셋 오픈 소스 공개