
SK hynix 회장, 5년 내 메모리 웨이퍼 생산 능력 두 배로 확대 발표 — AI 주도의 공급 부족은 최소 2030년까지 지속될 전망
요약
SK hynix가 AI 수요 대응을 위해 5년 내 메모리 웨이퍼 생산 능력을 두 배로 확대할 계획을 발표했습니다. HBM 중심의 공급 부족 현상은 2030년까지 지속될 것으로 전망되며, 회사는 공격적인 설비 투자와 함께 미국 ADR 상장을 추진하고 있습니다.
핵심 포인트
- 5년 내 메모리 웨이퍼 생산 능력 2배 확대 계획
- AI 주도 공급 부족 현상 2030년까지 지속 전망
- HBM 수요 급증으로 인한 생산 능력 편중 심화
- Nvidia Vera Rubin 플랫폼을 위한 HBM 공급 확대 목표

SK hynix 회장 최태원(Chey Tae-won)은 6월 2일 타이베이에서 열린 Computex에서 기자들에게 SK hynix가 5년 이내에 메모리 웨이퍼(memory wafer) 생산 능력을 두 배로 늘릴 것이라고 밝혔으며, 메모리 시장을 압박하고 있는 AI 주도의 공급 부족 현상이 2030년까지 이어질 것이라는 전망을 재차 강조했습니다. Bloomberg의 보도에 따르면, 최 회장은 이번 확장 계획에 대해 정확한 달러 금액을 밝히는 것은 거절했으나, 대신 회사의 2026년 지출이 2025년에 지출한 30.2조 원(약 200억 달러)을 훨씬 상회할 것이라고 말했으며, SK hynix가 올해 뉴욕에 미국 예탁 증서(ADR) 상장을 신청했다고 확인했습니다.
회사의 자체적인 일정상, 이러한 약속이 공급 부족을 단축하는 데에는 큰 도움이 되지 않을 것입니다. 최 회장은 그린필드 팹(greenfield fab, 신규 공장) 건설에 소요되는 리드 타임(lead time)을 5년 이상으로 잡았으며, 이는 새로운 생산량이 그가 예측한 공급 부족 기간의 거의 끝자락에 도달할 것임을 의미합니다. 이러한 새로운 입장은 새로운 팹 계획이 없으며 수요에 따라 생산 능력을 즉각 추가할 수 없다고 언급했던 지난 3월 Nvidia의 GTC 컨퍼런스에서의 발언과는 상당히 달라진 모습입니다.
최 회장은 또한 토지, 장비 및 전기 가격이 계속 변동하기 때문에 건설 비용을 정확히 산출하기 어렵다고 말했으며, 이것이 이번 발표에 구체적인 수치가 동반되지 않은 이유일 가능성이 높습니다. 회사의 기존 라인이 이미 포화 상태에 이르면서, 가용 생산 능력이 거의 제로(0)에 가깝게 떨어지자 고객사들은 SK hynix의 EUV 스캐너를 직접 구매하거나 팹 라인을 선결제하겠다는 제안을 해오기도 했습니다. 최 회장은 기자들에게 "2030년까지는 여전히 어느 정도의 부족 현상이 있을 것"이라고 말했습니다.
궁극적으로 웨이퍼의 공급과 수요 사이의 거대한 격차를 유발하는 것은 HBM(고대역폭 메모리)입니다. HBM은 표준 DRAM보다 비트당 훨씬 더 많은 웨이퍼를 소비하며 업계에서 가장 높은 마진을 기록하기 때문에, 생산 능력이 계속해서 HBM 쪽으로 기울고 있습니다. SK hynix는 HBM 시장의 약 57%, 글로벌 DRAM 시장의 32%를 점유하고 있으며, 최 회장은 회사가 Nvidia의 Vera Rubin 플랫폼을 위한 주요 HBM 공급업체가 되기를 원하며 TSMC 외에도 대만에서 더 많은 제조 파트너십을 모색하고 있다고 밝혔습니다.
하지만 구매자들은 완화를 위해 새로운 팹 (fabs)을 기다리고 있지 않습니다. TrendForce는 DRAM 계약 가격이 1분기에 약 95% 상승한 데 이어, 2분기에는 63% 상승할 것으로 전망했으며, DDR4 현물 가격은 최근 하락하기 전까지 12개월 동안 약 2,200% 급등했습니다. 생산 능력이 두 배로 늘어난다 하더라도 향후 5년간의 전망은 변함이 없으며, 현재의 AI 수요 상황을 고려할 때 시장은 이번 10년의 남은 기간 동안 계속 타이트한 상태를 유지할 가능성이 높습니다.

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Luke James는 프리랜서 작가이자 저널리스트입니다. 법률 분야의 배경을 가지고 있지만, 기술의 모든 것, 특히 하드웨어와 마이크로일렉트로닉스(microelectronics), 그리고 규제와 관련된 모든 것에 개인적인 관심을 가지고 있습니다.
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