Intel은 자사의 Intel Core Ultra Series 3 "Panther Lake" 프로세서 일부에 ASML의 High NA 극자외선 (EUV) 노광 기술을 사용하여 대량 제조(high-volume manufacturing) 단계에 진입했으며, 이 기술로 제조된 로직 제품을 대량 출하하는 최초의 기업이 되었습니다. ASML은 7월 15일 수요일 공식 보도 자료를 통해 이 이정표를 발표하며, Intel Foundry가 오리건(Oregon)의 Intel 18A 공정 노드에서 인증된 High NA 레이어를 가동하고 있음을 확인했습니다.

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(이미지 출처: tsmc)

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ASML에 따르면, Intel은 특정 Intel 18A 레이어의 패턴을 형성하는 데 High NA EUV를 사용하고 있으며, 해당 제품들은 ASML의 기존 NXE EUV 플랫폼에서 달성된 것과 동일한 수율로 이미 고객들에게 출하되고 있습니다. 이 레이어들은 이중 인증(dual-qualified)을 마쳤으며, 이는 동일한 레이어를 기존의 0.33 NA NXE 스캐너 또는 0.55 NA EXE 스캐너 중 어느 쪽에서도 노광할 수 있고, 결과물인 웨이퍼가 상호 교환 가능하다는 것을 의미합니다.

High NA EUV는 기존 장비로는 달성하기 어려워지고 있는 더 작고 조밀한 회로 패턴을 제조사가 인쇄할 수 있게 함으로써 반도체 스케일링(scaling)을 확장할 것을 약속하는, 오늘날의 EUV 리소그래피(lithography)의 후계자로 오랫동안 간주되어 왔습니다. 지금까지 이 플랫폼은 연구 개발(R&D) 작업에 국한되어 있었습니다. ASML의 이번 발표는 High NA EUV가 대량 생산되는 상업용 로직 제품을 생산하고 출하하는 데 사용된 첫 사례입니다.

Intel 18A 제조 공정을 기반으로 구축된 Panther Lake가 이러한 전환을 선도하고 있습니다. Intel은 회사의 전체 리소그래피 흐름을 교체하는 대신, 특정 레이어에 High NA EUV를 적용하는 한편 칩의 나머지 부분은 기존의 리소그래피를 사용하여 계속 제조하고 있습니다.

High NA EUV는 오늘날의 스캐너에서 사용되는 것과 동일한 13.5나노미터 극자외선(EUV)을 기반으로 하지만, 광학 시스템의 개구수(NA, numerical aperture) — 렌즈 시스템이 실리콘 웨이퍼에 집속할 수 있는 빛의 양 — 를 0.33에서 0.55로 높였습니다. 이 더 높은 수치는 단일 노광에서 더 미세한 피처(feature)를 해상하여, 칩 제조사가 더 큰 정밀도와 공정 제어로 더 작은 패턴을 인쇄할 수 있게 해줍니다.

이러한 해상도 향상은 업계에서 가장 까다로운 레이어 중 일부에 대해 복잡한 멀티 패터닝 (multi-patterning) 기술에 대한 의존도를 낮추어, 제조 공정을 단순화하고 피처 충실도 (feature fidelity)를 개선할 것으로 기대됩니다. 장기적으로 이러한 역량은 미래 프로세서에서 더 높은 트랜지스터 밀도와 향상된 성능을 지원할 것으로 예상되며, 특히 AI 워크로드가 점점 더 진보된 반도체 기술에 대한 수요를 지속적으로 견인함에 따라 그 중요성이 더욱 커질 것입니다.

"해상도 향상과 더 나은 공정 제어를 통해, High NA EUV의 도입은 반도체 리소그래피 (lithography) 분야의 중대한 발전을 의미합니다."라고 ASML의 사장 겸 CEO인 Christophe Fouquet는 말했습니다. "우리는 AI 및 기타 신흥 기술의 발전을 가속화할 더 작고 조밀한 패터닝 (patterning)을 가능하게 하는 역할을 수행하게 되어 자랑스럽습니다."

Intel과 ASML은 수년간 이 이정표를 달성하기 위해 협력해 왔습니다. 2024년, Intel은 오리건주 힐스보로(Hillsboro)에 위치한 연구 개발 시설에 업계 최초의 상용 High NA EUV 리소그래피 시스템 중 하나인 TWINSCAN EXE:5000의 설치를 완료했습니다. 이후 이 회사는 ASML의 2세대 TWINSCAN EXE:5200B를 인증한 최초의 기업이 되었으며, 이 장비는 이전 모델보다 개선된 EUV 광원을 통합하면서 웨이퍼 처리량 (throughput)과 오버레이 정확도 (overlay accuracy)를 높였습니다.

이번 발표가 High NA EUV의 상업적 데뷔를 의미하기는 하지만, Panther Lake가 완전히 새로운 리소그래피 (lithography) 플랫폼만을 사용하여 제조된다는 뜻은 아닙니다. 대신, Intel은 특정 레이어에 대해 High NA를 인증(qualified)했으며, 이는 새로운 리소그래피 세대가 향후 노드 전반에 걸쳐 광범위하게 채택되기 전, 첨단 반도체 생산 공정에 통상적으로 도입되는 방식과 유사합니다.

Intel Foundry의 부사장 겸 총괄 매니저인 Naga Chandrasekaran는 Intel 18A 제품의 선택된 레이어에 High NA 공정 옵션을 인증함으로써, 회사의 기존 툴 플릿 (tool fleet)이 더 높은 제조 생산량을 제공하는 동시에 미래 공정 기술을 위한 유연성을 확보할 수 있게 되었다고 밝혔습니다.

Panther Lake 자체는 미래의 제품이 아닙니다. Intel은 2026년 1월 5일 CES에서 Core Ultra Series 3를 출시했으며, 다음 날 사전 주문을 시작하여 1월 27일부터 전 세계 매장에 시스템을 공급했습니다. 이어 4월에는 Core Ultra X9 378H가 출시되었고, Wildcat Lake라는 코드명을 가진 가성비 라인업인 Core Series 3와 핸드헬드 기기 중심의 Arc G3 부품들이 5월 28일에 출시되었습니다.

제품이 고객에게 출하되고 있다는 발표 내용은 제품 출시(launch)가 아니라, 팹 (fab)에서 공급망으로 이어지는 웨이퍼 흐름 (wafer flow)을 의미합니다. ASML은 양사가 High NA 준비 상태를 위해 계속 협력할 것이며, 고객의 요구에 따라 미래 노드에 해당 기술을 통합할 수 있는 유연성을 가질 것이라고 밝혔습니다. 가장 즉각적인 대상은 Intel이 가장 미세한 피치 (pitch) 레이어 세트에 High NA를 사용하도록 설계한 Intel 14A입니다.