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Tom's Hardware헤드라인2026. 06. 06. 21:26

G.Skill, AMD EXPO ULL이 추가 성능을 끌어내는 방식 설명 — 확장된 프로필을 통해 메모리 제조사가 처음으로 세부

요약

G.Skill이 AMD의 새로운 EXPO ULL 프로그램을 통해 메모리 지연 시간을 줄이는 방식을 설명했습니다. 기존 프로필의 제한을 넘어 세부 타이밍을 조정함으로써, AMD 플랫폼에서 성능 저하 없이 최적의 메모리 효율을 끌어내는 기술을 시연했습니다.

핵심 포인트

  • AMD EXPO ULL은 기존보다 낮은 메모리 지연 시간을 제공하는 원클릭 경로를 목표로 함
  • 6000 MT/s 이상의 속도에서 발생하는 1:2 배수 모드의 지연 시간 문제를 해결하고자 함
  • G.Skill은 세부 타이밍 조정을 통해 메모리 성능을 극대화하는 새로운 키트를 선보임
  • Ryzen 7000/9000 시리즈의 스윗 스팟인 1:1 모드 성능을 개선하는 데 중점

G.Skill EXPO ULL memory

Computex 2026에서 발표된 AMD의 EXPO Ultra Low Latency (ULL) 프로그램은 사용자에게 기존 EXPO 프로필보다 더 낮은 메모리 지연 시간(latency)을 제공하는 원클릭 경로를 제공하는 것을 목표로 하지만, 회사의 초기 발표에는 세부 사항이 부족했습니다. EXPO ULL에 대해 더 자세히 알아보기 위해 저는 G.Skill의 Computex 부스를 방문했으며, 그곳에서 회사는 EXPO ULL 지원을 제공하는 네 가지 새로운 키트를 시연했습니다.

메모리 지연 시간(Memory latency)은 CPU가 RAM으로부터 데이터를 다시 받기 위해 얼마나 오래 기다려야 하는지에 직접적인 영향을 미치며, 따라서 CPU 성능에 큰 영향을 미칩니다. 하지만 새로운 DDR 표준과 점점 더 빨라지는 DIMM이 메모리 대역폭(bandwidth)을 높여왔음에도 불구하고, DDR 지연 시간은 시간이 지남에 따라 훨씬 느린 속도로 개선되었습니다.

매우 높은 수준의 배경 지식을 설명하자면, 메모리를 선택할 때 PC 빌더들은 일반적으로 특정 메모리 키트의 속도와 CAS 지연 시간(CAS latency, CL)을 고려합니다. 예를 들어 두 개의 CL30 메모리 키트를 비교할 때, 클록 속도(clock rate)가 더 높은 쪽이 나노초(nanoseconds) 단위의 유효 지연 시간이 더 낮습니다(CL30은 클록 사이클의 수를 나타내기 때문입니다).

이를 알고 있다면, 지연 시간을 줄이기 위한 여러분의 첫 번째 본능은 가장 낮은 CAS 지연 시간을 가진 가장 높은 클록의 메모리(DDR5-8400 또는 그보다 더 빠른 모듈)를 찾는 것일 수 있습니다.

하지만 현대의 AMD 플랫폼에서는 그렇게 간단하지 않습니다. 6000 MT/s보다 높은 메모리 속도에 도달하려면 일반적으로 통합 메모리 컨트롤러의 클록(UCLK, 일반적으로 약 3000 MHz가 상한선임)과 메모리 클록(MCLK) 사이의 1:2 배수(multiplier) 모드를 사용해야 합니다. 이 1:2 배수는 지연 시간을 추가하며, 따라서 메모리 속도가 6000 MT/s 이상으로 올라가더라도 직관과는 반대로 성능을 저하시킬 수 있습니다. (DDR 메모리는 클록 속도의 두 배로 비트를 이동하므로 MT/s 단위를 사용한다는 점을 기억하세요.)

이 1:2 배수(multiplier)가 활성화된 상태에서는, 추가적인 메모리 클록 속도가 레이턴시(latency)를 일반적인 1:1 모드 수준으로 다시 낮추기 시작할 때쯤이면 이미 매우 비싸고 이색적인(exotic) 메모리 키트를 찾아봐야 하는 상황에 직면하게 됩니다. 따라서 Ryzen 7000 및 Ryzen 9000 CPU를 사용하는 대부분의 엔지니어(enthusiasts)들은 낮은 레이턴시와 (상대적으로) 낮은 비용 사이의 최적의 균형을 위해 UCLK와 MCLK를 1:1 락스텝(lockstep)으로 실행할 수 있는 메모리를 선택하는 것을 선호합니다.

이것이 바로 AMD 플랫폼에서 6000 MT/s보다 빠른 메모리를 사용하는 것이 일반적으로 게임 성능 측면에서 역효과를 내는 이유입니다. 그렇기 때문에 DDR5-6000 CL30 범위의 모듈이 Ryzen 7000 및 Ryzen 9000 CPU를 위한 오버클러킹의 "스윗 스팟(sweet spot)"으로 널리 간주되는 것입니다.

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하지만 EXPO ULL의 도입이 시사하듯, 개선의 여지가 더 남아있지 않다는 뜻은 아닙니다.

G.Skill은 지금까지 DRAM 모듈 제조사들이 EXPO(및 XMP) 프로필 내에서 네 가지 주요 타이밍(primary timings)만을 변경할 수 있었으며, 이로 인해 잠재적인 성능을 다 끌어내지 못했다고 밝혔습니다. EXPO ULL는 메모리 제조사가 네 가지 주요 타이밍 각각에 대해 세부 타이밍(sub-timings)을 조정하여 더욱 낮은 레이턴시를 구현하고, 그 결과를 메모리의 SPD에 포함할 수 있는 더 많은 자유를 부여합니다.

Expo ULL memory latency

AMD 시스템에서 최고의 성능을 끌어내려는 사용자들에게 커뮤니티 제작 도구를 사용하여 최적의 설정값을 결정하고 메모리 세부 타이밍을 미세 조정(tweaking)하는 것은 꽤 흔한 관행이었습니다. 하지만 Ryzen X3D 프로세서와 그 거대한 3D V-Cache 용량은 이러한 미세 조정에 대한 해당 CPU들의 민감도를 낮추었습니다. 이제는 단순히 DDR5-6000 CL30 키트를 구매하여 EXPO를 활성화하고 그대로 사용하는 것이 훨씬 더 일반적인 모습이 되었습니다.

하지만 만약 절대적으로 가장 낮은 메모리 레이턴시를 달성하는 데 집중하고 있다면, EXPO ULL는 메모리 제조사가 그 작업을 대신 수행하고 이를 EXPO가 제공하는 원클릭 부스트(one-click boost)의 일부로 포함할 수 있게 함으로써, (지루하고 까다로운) 개선된 세부 타이밍을 결정해야 하는 과정을 생략할 수 있게 해줍니다.

이 모든 것을 고려할 때, EXPO ULL은 X3D CPU와 비(non)-X3D CPU 간의 근본적인 성능 특성을 변화시키지는 않습니다. 따라서 X3D 칩과 EXPO ULL 키트를 조합할 수는 있지만, G.Skill은 이러한 조합에서 얻을 수 있는 성능 차이가 비(non)-X3D 칩을 사용할 때만큼 크지는 않을 것이라고 말합니다. 이것이 바로 AMD가 여러분이 예상할 법한 Ryzen 7 9850X3D가 아닌, Ryzen 7 9700X를 통해 EXPO ULL의 성능 향상을 홍보하는 이유입니다.

G.Skill은 또한 EXPO ULL 지원 메모리가 생산 과정에서 개별 메모리 칩에 대한 더 엄격한 선별 (binning) 과정을 필요로 하기 때문에, 단순히 기존 모듈에 적용할 수 있는 소프트웨어 변경 사항이 아니라고 밝혔습니다. 회사 측은 이러한 엄격한 선별 과정에 수반되는 추가 작업으로 인해, 해당 기능을 지원하는 모듈은 동일한 특성 분석 (characterization) 과정을 거치지 않은 키트보다 가격이 더 비쌀 가능성이 높다고 설명합니다.

결과적으로, EXPO ULL은 비(non)-ULL EXPO 프로필을 광범위하게 대체하기보다는 EXPO 프로그램의 프리미엄 (그리고 다소 틈새적인) 추가 기능이 될 가능성이 높습니다. CPU 병목 (CPU-bound) 게임 시나리오에서 최상의 성능을 위해 가장 낮은 메모리 지연 시간 (latency)이 필요한 까다로운 게이머들은 사용하는 Ryzen CPU의 종류와 관계없이 EXPO ULL 키트를 원할 것입니다. 하지만 이미 눈이 휘둥그레질 정도로 비싼 오늘날의 메모리 시장에서 이 키트들이 얼마나 더 많은 추가 비용을 요구할지, 그리고 AMD의 엄청난 인기를 끌고 있는 X3D 칩에 어떤 이득(혹은 이득이 있다면 무엇인지)을 줄지는 지켜봐야 할 것입니다.

Tom's Hardware의 그래픽 부문 수석 분석가인 Jeff Kampman은 그래픽 카드, 게임 성능 등과 관련된 모든 것을 다룹니다. 내장 그래픽 프로세서부터 외장 그래픽 카드, 그리고 우리의 AI 미래를 뒷받침하는 하이퍼스케일 설치 환경에 이르기까지, GPU가 포함된 것이라면 Jeff가 담당합니다.

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