EV Group, ECTC 2026에서 450nm 피치 하이브리드 본딩 및 레이어 전사 기술 공개

오스트리아의 반도체 장비 제조 기업인 EV Group (EVG)이 ECTC 2026에서 획기적인 성과를 시연했습니다: 2,000만 개의 상호 연결 (interconnects)에서 98% 수율을 기록한 450nm 피치 Cu-Cu 하이브리드 본딩 (hybrid bonding) — 이는 차세대 AI 프로세서를 구동하는 초고밀도 3D 칩 통합을 위한 중요한 이정표입니다.

시연된 핵심 기술

초미세 피치 하이브리드 본딩 (450nm)

Applied Materials와 공동 저술:

• 450nm Cu-Cu 상호 연결 피치 (interconnect pitch) — 양산 규모에서 시연된 가장 미세한 수준 중 하나
• 2,000만 개의 상호 연결에서 98% 수율 달성 — 제조 가능성 입증
• EVG GEMINI® FB 생산 본딩 시스템을 사용한 웨이퍼 투 웨이퍼 (Wafer-to-wafer) 공정

이러한 피치 밀도는 현재 HBM 스택에 사용되는 2-3μm 피치보다 현저히 높은 대역폭의 다이 투 다이 (die-to-die) 인터페이스를 가능하게 합니다.

300nm 피치 공정 통합

별도의 논문에서 다음과 같은 내용을 제시합니다:

• SiCN 패시베이션 (passivation)을 적용한 300nm 피치 하이브리드 본딩
• 50nm 오버레이 정확도 (overlay accuracy)
• 종합적인 신뢰성 평가를 거친 미세 결정 Cu 금속학 (metallurgy)
• 차세대 HBM5/6 세대에 대한 준비성 입증

IR 레이어 전사 (LayerRelease™)

• Si 임시 캐리어 (temporary carriers)를 사용한 미세 피치 RDL (redistribution layer, 재배선층) 제작 및 전사
• 비파괴적 레이어 분리를 가능하게 하는 IR 레이저 릴리스 (laser release)
• 응용 분야: 사전 제작된 재배선층의 이종 통합 (heterogeneous integration)

마스크리스 리소그래피 (LITHOSCALE® XT)

• 310×310mm² 패널 기판 상의 디지털 리소그래피 (Digital lithography)
• 고종횡비 (High aspect ratio) Cu 필라 (pillar) 응용
• 첨단 기판 제조를 위한 마스크 툴링 비용 제거

7개의 기술 세션

EVG의 컨퍼런스 프로그램은 하이브리드 본딩 기초에 관한 전문 개발 과정부터 단결정 상호 연결을 위한 에피택셜 루테늄 (epitaxial ruthenium) 레이어 전사에 관한 최첨단 연구에 이르기까지 이종 통합 (heterogeneous integration)의 전 범위를 아우릅니다.

이것이 PCB 엔지니어에게 중요한 이유

칩이 하이브리드 본딩 (hybrid bonding)을 통해 더 많은 다이 (die)를 통합함에 따라, PCB 기판은 다음 사항들을 지원해야 합니다:

• 더 높은 I/O 밀도 (I/O density) → 더 미세한 피치 (pitch)의 BGA 어레이
• 더 높은 전력 밀도 (power density) → 개선된 열 비아 (thermal via) 어레이
• 더 높은 신호 주파수 (signal frequency) → 초저손실 (ultra-low-loss) 재료
• 더 엄격한 워피지 (warpage) 제어 → 정밀한 라미네이션 (lamination)

_원문 출처: AtlasPCB

출처: EV Group 보도 자료, 2026년 5월 19일; IEEE ECTC 2026 기술 프로그램