ECTC 2026 개막: AI 칩 패키징에 관한 기록적인 논문들이 기판 기술을 발전시키다

ECTC 2026 올랜도에서 개막: AI 칩 패키징에 관한 기록적인 논문들이 기판 기술을 발전시키다

제76회 연례 IEEE 전자 부품 및 기술 컨퍼런스 (ECTC 2026)가 2026년 5월 26일 플로리다주 올랜도에서 개막하였으며, 2,000명 이상의 과학자와 엔지니어들이 모였습니다. 올해는 약 **450편의 기술 논문 (technical papers)**이 특징이며, AI 가속기 패키징 (AI accelerator packaging)을 가능하게 하는 기술에 전례 없는 집중도를 보이고 있습니다.

AI 패키징이 기술 프로그램의 주도권을 잡다

AI 하드웨어 수요의 영향력은 명확합니다:

• 하이브리드 본딩 (Hybrid bonding) 세션: HBM4/5 메모리의 핵심 기술인 다이 스태킹 (die stacking)을 위한 서브 마이크론 피치 (sub-micron pitch) Cu-Cu 본딩에 관한 다수의 논문
• 첨단 기판 재료 (Advanced substrate materials): PFAS-free 유전체 (dielectrics), 글래스 코어 기판 (glass core substrates), 저손실 유기물 (low-loss organics)
• 칩렛 통합 (Chiplet integration): 이종 집적 (Heterogeneous integration) 논문 수가 처음으로 전통적인 모놀리식 패키징 (monolithic packaging) 논문 수를 앞질렀습니다.
• 열 솔루션 (Thermal solutions): 700W 이상의 AI 가속기 TDP를 위한 새로운 TIM 재료 및 3D 냉각 기술

돌파구: 450nm 피치 하이브리드 본딩

Applied Materials와 EV Group은 2,000만 개의 상호 연결 (interconnects) 전반에 걸쳐 98%의 수율을 달성한 450nm 피치 Cu-Cu 하이브리드 본딩을 시연했습니다. 이는 현재 HBM 생산 본딩보다 약 4배 더 미세합니다. 이를 통해 다음이 가능해집니다:

• 초당 멀티 테라바이트급 다이 간 대역폭 (die-to-die bandwidth)
• 인터포저 (interposer) 크기의 획기적인 감소
• 차세대 AI 칩을 위한 새로운 3D 스태킹 아키텍처 (3D stacking architectures)

주요 산업적 시사점

AI 칩 패키지가 미세 피치 본딩을 통해 더 많은 다이를 통합함에 따라, 유기 PCB 기판은 다음을 지원해야 합니다:

• BGA 피치 이동 (BGA pitch migration): 1.0mm에서 0.5mm 피치로의 이동
• 배선/간격 요구 사항 (Trace/space requirements): 기판 표면층에서 ≤ 30/30μm
• 층수 증가 (Layer count escalation): AI 가속기 소켓을 위한 14-20층 기판
• 열 관리 (Thermal management): 700W 이상의 패키지를 위한 구리 코인 (Copper coins) 및 고밀도 열 비아 어레이 (thermal via arrays)

AI 패키징 군비 경쟁

ECTC 2026은 AI 하드웨어에 대한 전례 없는 투자 속에서 개최되었습니다:

• TSMC의 CoWoS 생산 능력이 전년 대비 11배 확장됨
• 글로벌 기판 (Substrate) 시장이 2027년까지 220억 달러에 달할 것으로 전망됨
• 모든 주요 OSAT (Outsourced Semiconductor Assembly and Test) 기업들이 하이브리드 본딩 (Hybrid Bonding) 역량에 투자 중

_원문 출처: AtlasPCB

출처: IEEE ECTC 2026 Program, EV Group 보도 자료, Fujifilm 발표, 2026년 5월