CXMT 사장, 회사의 첫 4F² DRAM이 서버 DDR5 RDIMM으로 연말까지 출시될 것이라고 밝히다

Cao Kanyu 사장은 Yicai가 보도한 발언에서 CXMT가 첫 4F² 제품인 서버 DDR5 RDIMM을 연말까지 출시할 것으로 예상한다고 말했습니다. 이 메모리는 아직 상용화되지 않은 더 조밀한 셀 레이아웃을 사용하여, 수직 트랜지스터를 통해 이론적으로 셀의 면적을 약 3분의 1로 줄입니다. 새로운 제품에 대한 속도나 용량은 아직 발표되지 않았습니다.

Cao는 토요일 Integrated Chips and Chiplets Conference에서 이 새로운 RDIMM에 대해 연설했습니다. 4F² 셀은 동일한 공정 크기에서 현재의 6F² 셀 면적의 약 2/3 크기로, 2F x 2F입니다. 그리고 지금까지 설계된 모든 것은 트랜지스터를 세로로 세우는 방식입니다. 이 회사는 2021년, 2023년, 2025년에 논문을 발표하고 기술에 대한 연구 및 특허 출원을 했으며, IEDM 2023에서 8Gb 전체 배열 연구 예시를 시연했습니다.

Cao는 CXMT의 버전인 Vertical Surrounded Gate (VSG) 트랜지스터가 게이트가 주변을 감싸고 채널이 수직으로 서 있는 구조로, 누설 전류가 적으면서도 더 강력한 게이트 제어를 가능하게 한다고 말했습니다. 가장 중요한 점은 트랜지스터를 세우는 것이 셀 크기를 줄인다는 것입니다. 그는 CXMT가 4F²와 관련된 300개 이상의 출판된 특허 패밀리를 보유하고 있다고 덧붙였습니다. 이 보고서에 따르면 전체 산업이 DRAM과 CMOS 공정을 분리하여 결합하는 4F² 방향으로 움직이고 있으며, 이는 wafer-level hybrid bonding을 통해 로직 및 셀 밀도를 독립적으로 최적화할 수 있게 합니다. Cao는 또한 2019년에 시작하여 출판된 특허를 보유한 CXMT 자체의 하이브리드 본딩 작업에 대해서도 다루었습니다.

이 발표 외에도 중국의 주요 DRAM 제조사는 제조 및 시장 점유율 증가로 최근 주목받고 있습니다. 이 회사가 9월 20일에 발표한 5세대 G5 DRAM 기술 플랫폼은 양산 단계에 들어섰습니다. TrendForce에 따르면, CXMT의 2분기 글로벌 DRAM 매출 점유율은 7.6%에서 9.5%로 상승하며 4위를 기록했습니다. 지난 11월, CXMT는 DDR5-8000 및 LPDDR5X-10667을 선보였습니다. 이 회사는 기존의 거대 플레이어들로부터 진지하게 주목받는 제조사로 자리매김하고 있습니다.

삼성은 2월 ISSCC 2026 논문에서 16Gb, 10nm급 4F² DRAM 설계를 공개했습니다. 이 설계 역시 수직 채널 트랜지스터(VCT)를 사용했으며, 웨이퍼 대 웨이퍼 하이브리드 구리 본딩(wafer-to-wafer hybrid copper bonding)을 사용하여 주변부 위에 어레이를 접합했습니다. 이 회사는 이러한 본딩 방식이 동일한 설계 규칙으로 칩당 웨이퍼의 다이 수를 20% 이상 증가시킨다고 주장합니다. 4월에 _The Elec_는 삼성의 서브-10nm “10a” 공정에서 작동하는 4F² VCT 다이가 보고되었으며, 2028년 양산을 목표로 한다고 보도했습니다. 이후 한국 언론 보도를 통해 이 날짜가 불확실해졌는데, 해당 VCT 버전은 현재

SK hynix는 VLSI 2025에서 4F² 수직 게이트 플랫폼과 노드 10nm 이하의 3D DRAM을 공정 노드 10nm에서 구현할 계획이며, 회로를 셀 어레이 아래에 본딩(bonding)한다고 밝혔다. 지난 4월 보고서에는 SK hynix의 4F²가 삼성의 10a 다음 단계인 10b 노드에서 처음 등장한다는 내용도 담겨 있다. Micron의 계획은 상대적으로 불분명하며, 광범위하게 보도된 2026년 발표는 없다.

이 발표가 흥미로운 부분은 언급되지 않은 것들, 즉 용량(capacity), 속도(speed), 다이 밀도(die density), 공정 노드(process node), 명시된 고객사(named customers), 또는 예상 물량(intended volume)에 관한 것이다. 우리가 가진 것은 날짜와 문헌을 통해 잘 뒷받침되지만, CXMT 외부에서 누구도 테스트한 적 없는 것으로 보이는 셀 설계뿐이다. Cao의 발표 외에도 CXMT는 중국어 또는 영어 뉴스룸에 해당 제품에 대한 출시 공지를 게시하지 않았다.

한국 보도에 따르면, CXMT의 초기 제품들은 4F²를 부분적으로만 사용할 수 있으며, 안정적인 물량 생산 자체가 별도의 과제라고 한다. 연말까지 약 11주가 남아있어, CXMT가 실제로 어떤 것을 선보일지 지켜보는 것이 흥미로울 것이다.