
CXMT 공급망, DDR6 상용화 전 시장 선점을 위한 주요 공정 전환 추진… 삼성과 SK하이닉스의 글로벌 시장 지배력에 위협
요약
중국 CXMT가 DDR6 시장 선점을 위해 패널 기반 공정 도입을 추진하며 삼성과 SK하이닉스를 추격하고 있습니다. 애플이 CXMT의 메모리 칩을 테스트 중이라는 소식과 함께, 공급망 다변화를 원하는 기업들의 수요가 CXMT의 성장을 견인할 전망입니다.
핵심 포인트
- CXMT, DDR6 상용화 대비 패널 기반 공정 도입 검토
- 해성DS가 DDR5 패키지 기판 품질 인증 통과하며 공급망 합류
- 삼성·SK하이닉스의 지배력에 도전하는 중국 메모리 업계의 부상
- 애플의 CXMT 메모리 칩 테스트 소식에 따른 시장 변화 가능성
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DDR6 RAM의 상용화는 2028년에서 2029년 사이에 예상되지만, CXMT와 그 공급망은 삼성과 SK하이닉스가 글로벌 시장을 장악하기 전에 선점하기 위해 이미 박차를 가하고 있습니다. DDR5에서 DDR6로의 원활하고 효율적인 전환을 위해, 중국 메모리 제조업체인 CXMT는 기존 DDR4 및 DDR5 제조 방식 대신 패널 기반 공정을 도입하는 방안을 검토 중인 새로운 제조업체를 영입했습니다.
DDR6 RAM은 다층 구조를 채택할 예정이며, 이를 위해 제조 공정에 대한 전면적인 개선이 필요하지만, CXMT의 생산 수율에는 부정적인 영향을 미치지 않을 것입니다.
CXMT는 DDR4 및 DDR5 생산에 있어 복잡한 제조 공정을 사용할 필요가 없습니다. 두 표준 모두 수율 저하 없이 단일 또는 저층 기판을 사용하기 때문입니다. CXMT의 DDR5 메모리는 동일 속도에서 SK하이닉스 제품에 비해 성능이 다소 떨어지지만 , DDR6 생산으로의 전환을 적극적으로 추진하고 있습니다.
이러한 전환을 지원하기 위해 ETNews는 CXMT의 공급망에 최근 합류한 패키지 기판 제조업체인 해성DS가 2026년 1분기에 고객사의 최신 DDR5 패키지 기판 품질 인증 테스트를 통과했다고 보도했습니다. DDR4 및 DDR5 생산은 릴투릴(Reel-to-Reel)이라는 저렴한 방식을 통해 가능해졌습니다.
해성DS는 DDR6 RAM 생산에 있어 차세대 메모리에 적합한 다층 구조를 구현하는 새로운 패널 방식을 도입하여 생산 효율성을 유지하면서도 생산 차질을 최소화하고자 합니다. 이론적으로는 기존의 릴투릴(Reel-to-Reel) 방식도 DDR6 제조에 활용 가능하지만, 회로 층이 많아질수록 수익성과 효율성이 저하되는 경향이 있어 패널 방식이 더욱 안정적인 선택으로 여겨집니다.
삼성과 SK하이닉스가 이미 DDR6 RAM을 개발 중인 가운데 , CXMT는 시간과의 싸움을 벌이고 있지만, 지속되는 DRAM 부족 사태 덕분에 공급망 업계에서 이미 그 이름이 거론되고 있습니다. 기업들이 충분한 물량을 확보하지 못하는 상황에서 CXMT의 존재는 안도의 한숨과 같습니다. 이는 단순히 기술력 때문이 아니라, CXMT만의 독특한 입지를 통해 여러 고객사의 공급 위험을 줄일 수 있기 때문입니다.
중국 제조업체와의 파트너십을 모색 중인 것으로 알려진 애플은 이미 해당 업체의 메모리 칩을 테스트하고 있는 것으로 전해지며 , 이는 CXMT가 DDR6 개발을 가속화할 충분한 동기가 될 것입니다. 보도에서는 중국산 DRAM의 양산 시점을 명확히 언급하지는 않았지만, 빠른 시일 내에 양산되기를 기대해 봅니다.
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