반도체 산업이 로직(Logic) 및 메모리 생산 모두에서 ASML의 EUV(극자외선) 노광 장비에 점점 더 의존함에 따라, ASML은 이 시스템들이 고객에게 더 높은 생산성과 더 나은 가치를 제공함에 따라 가격 인상을 고려하고 있습니다. 그러나 2027년 생산 물량이 거의 매진되었고 2028년 주문도 이미 상당 부분 예약되어 있어, 의미 있는 가격 인상은 주로 2028년 후반부터 인도되는 시스템에 영향을 미칠 수 있습니다. 그럼에도 불구하고, 이러한 구상은 ASML의 최대 고객사인 TSMC를 이미 분노하게 했다고 The Information이 보도했습니다.

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(이미지 출처: Future)

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"Low-NA [EUV 장비] 가격 책정에 관해서는, 물론 우리가 Low-NA 장비의 생산성 (productivity)을 지속적으로 높이고 있으며, 이는 향후 잠재적인 가격 인상을 위한 상당히 강력한 기반 (runway)을 제공한다는 점을 알고 계실 것입니다,"라고 ASML의 최고 재무 책임자 (CFO)인 Roger Dassen은 회사의 분기 실적 발표 (earnings call) 중에 말했습니다. "우리가 가진 긴 주문 리드 타임 (order lead times)을 고려할 때, 그것이... 당장 내일의 가격 효과로 이어지지는 않습니다."

가치 기반 가격 책정 (Value-based pricing)이 새로운 방식으로 지속될 예정

ASML은 오랫동안 소위 가치 기반 가격 책정 (value-based pricing) 방식을 따라왔으며, 새로운 장비가 고객에게 제공하는 산출량 (output), 패턴 형성 비용 (patterning costs), 전력 소비 (power consumption) 및 기타 이점들을 바탕으로 견적을 점진적으로 인상해 왔습니다.

보통 이는 가끔씩 가격을 인상하는 방식을 포함했습니다. 예를 들어, 초기 Twinscan NXE Low-NA EUV 시스템의 비용이 대략 1억 유로 ~ 1억 2,000만 유로 ($1억 1,500만 ~ $1억 3,700만)였다면, 더 발전된 모델은 1억 7,000만 유로 ($1억 9,500만)부터 시작하는 가격이 책정됩니다. 이는 여전히 3억 5,000만 유로 ($4억)를 초과한다는 소문이 있는 High-NA EXE 스캐너의 견적보다는 훨씬 낮은 수준입니다. 동시에, Low-NA의 생산성 (productivity)은 시간당 160170 웨이퍼 (WPH) 및 ≤1.1nm의 매칭된 장비 오버레이 (matched-machine overlay)에서, NXE:3800E/NXE:3800F의 경우 220 WPH/260 WPH 및 0.9nm로 상승했습니다. 향후 NXE:4200G/NXE:4200H 시스템은 300 WPH를 초과하고 오버레이 (overlay)를 ≤0.8nm≤0.7nm로 개선할 것으로 기대됩니다.

ASML

(이미지 출처: ASML)

"분명히, 우리 제품이 고객에게 가져다주는 가치가 상당한 오늘날의 환경은, 물론 과거에 보셨던 것보다 가격 책정에 있어 우리에게 더 많은 유연성을 제공합니다,"라고 Dassen은 말했습니다. "물론, 우리는 그것을 실행에 옮기고 있기도 합니다."

하지만 통화 후반부에 Dassen은 반도체 업계의 높은 수요와 제한된 공급이라는 현재의 환경에서도 ASML이 가치 기반 접근 방식 (value-based approach)을 유지할 의도가 있음을 강조했습니다. 다만, 그는 앞으로 ASML이 단순히 생산성 (productivity)을 넘어선 부분에 대해서도 비용을 청구하고 싶어 할 수 있다고 강조했습니다.

"우리는 고객들에게 단순히 생산성 (productivity) 업그레이드뿐만 아니라, 더 나은 이미징 (imaging)의 가치, 더 나은 오버레이 (overlay)의 가치 등을 항상 보여줄 수 있었습니다,"라고 Dassen은 말했습니다. "[하지만] 처리량 (throughput) 개선과 평균 판매 단가 (ASP) 사이에는 매우 강력한 상관관계가 있었습니다. 상황이 그렇게 흘러갔을 뿐입니다,"라고 그는 말하며, ASML이 고객사와 가치를 공유하고 있음을 시사했습니다.

단기적인 가격 인상은 없음

ASML은 향후 몇 년 동안 Low-NA EUV 시스템의 가격을 인상할 수 없을 것입니다. ASML의 수주 잔고 (backlog)에 있는 주문들은 이미 인플레이션 조정을 전제로 한 판매 가치를 지니고 있기 때문에, 2027년과 2028년 초반 생산량의 상당 부분은 이미 계약상 가격이 결정되어 있을 수 있습니다. 기존 계약을 재협상할 수 없는 한, 따라서 더 높은 가격 책정은 주로 2028년 출하분 이후나, 2027년에 어떻게든 끼워 넣게 되는 신규 주문에 적용될 수 있습니다. 2029년에 출시될 NXE:4200G는 주요 성능 향상이 이루어짐에 따라 자연스럽게 평균 판매 단가 (ASP)를 높일 것입니다.

TSMC는 불쾌해하고 있다

하지만 TSMC에게 이 문제는 전략적입니다. 이 파운드리 (foundry) 업체의 2030년까지의 최첨단 로드맵 (roadmap)은 더 나은 마스크 (mask), 컴퓨테이셔널 리소그래피 (computational lithography), 그리고 멀티패터닝 (multipatterning)을 통해 Low-NA EUV를 확장하는 것에 달려 있습니다. 그때까지 TSMC의 전략은 최소한 10A급 (1nm급) 기술에 도달할 때까지 High-NA EUV를 피하는 것이었습니다. 만약 ASML이 향후 Low-NA EUV 노광 (lithography) 시스템의 가격을 인상한다면, 이는 향후 몇 년간 TSMC의 모든 계획에 영향을 미칠 가능성이 높습니다.

TSMC는 이미 세계 최대 규모의 Low-NA EUV 플릿 (fleet)을 운영하고 있으며, 글로벌 확장 전략을 실행함에 따라 대만, 미국 및 일본의 팹 (fab)을 위해 훨씬 더 많은 스캐너 (scanner)가 필요한 상황입니다. 결과적으로, TSMC의 예상치를 상회하는 아주 미미한 가격 인상만으로도 자본 지출 (capital spending)이 수십억 달러 증가할 수 있으며, High-NA 도입을 미루는 것의 경제적 이점을 감소시키고, 궁극적으로 제조 원가를 상승시킬 수 있습니다. 더욱이, 지금 더 높은 가격을 수용하는 것은 향후 수십 대 또는 수백 대의 시스템에 대한 기준점 (baseline)을 설정하게 될 수 있으며, 이는 ASML이 점점 더 생산성이 높아지는 노광 (lithography) 장비에 의해 창출되는 경제적 가치의 더 큰 비중을 확보할 수 있게 해줄 것입니다.

이러한 상황이 TSMC로 하여금 계획보다 더 일찍 High-NA EUV 장비로 전환하도록 강제할 수 있을까요? High-NA EUV로의 전환에는 3억 5천만 유로 이상의 스캐너뿐만 아니라 새로운 레지스트 (resist), 마스크 (mask), 펠리클 (pellicle), 계측 (metrology), 설계 규칙 (design rules), 그리고 컴퓨테이셔널 리소그래피 (computational lithography) 플로우 (flow)가 필요하며, 이들은 현재 TSMC에서 준비되지 않았을 가능성이 높습니다.