
AMD, DDR5 DIMM용 새로운 EXPO 'Ultra Low Latency' 오버클러킹으로 13% 성능 향상 약속 — AMD 측, 자동
요약
AMD가 DDR5 메모리 성능을 극대화하는 새로운 자동 오버클러킹 기능인 'EXPO Ultra Low Latency(ULL)'를 발표했습니다. 내부 벤치마크 결과, 표준 DDR5 대비 게임 성능이 평균 13% 향상되며 하위 1% 프레임 방어에도 효과적입니다.
핵심 포인트
- EXPO ULL 적용 시 게임 성능 평균 13% 향상 기대
- 표준 EXPO 대비 약 4%의 추가 성능 개선 제공
- G.Skill, Kingston 등 주요 메모리 파트너와 협력 중
- 하위 1% 프레임(1% Low)에서 최대 15% 성능 향상

AMD가 EXPO Ultra Low Latency (ULL)라고 명명된 새로운 자동 메모리 오버클러킹 기능을 선보입니다. AMD의 내부 벤치마크에 따르면, 이 새로운 도구는 DDR5의 JEDEC 표준 속도와 비교했을 때 30개 이상의 게임에서 평균 성능이 13% 향상될 것을 약속하며, 표준 EXPO와 비교해서도 4%의 향상을 제공합니다. 회사는 ULL가 언제 출시될지는 밝히지 않았지만, 이 기능을 지원하기 위해 여러 메모리 파트너를 확보해 둔 상태입니다.
우리는 EXPO ULL이 어떻게 작동하는지, 더 구체적으로 AMD가 표준 EXPO와 비교하여 어디에서 개선점을 찾아냈는지에 대해 자세히 알지 못합니다. 그럼에도 불구하고, AMD는 Ryzen 7 9700X CPU를 사용하여 30개 이상의 게임에서 EXPO ULL 성능을 살펴본 광범위한 벤치마크를 공유했습니다. AMD는 해당 타이틀들이 "최적의 성능(best performance)"을 위해 조정되었다는 사실 외에 해상도(아마도 1080p)나 설정 세부 사항은 공유하지 않았습니다. 전체 구성은 아래 갤러리에서 확인할 수 있습니다.



JEDEC 표준인 DDR5-5600 CL46과 비교했을 때, AMD는 EXPO를 실행하는 DDR5-6000이 9% 더 빠르고, EXPO ULL를 실행하는 DDR5-6000 CL30이 13% 더 빠르다는 것을 보여줍니다. 1% Low(하위 1% 프레임)를 살펴보면, AMD는 EXPO와 EXPO ULL의 성능 향상이 각각 11%와 15%라고 주장합니다. AMD는 표준 EXPO 메모리의 CAS Latency (CL)를 명확히 밝히지는 않았지만, EXPO와 EXPO ULL 모두 CL28, CL30, CL36에서 테스트했다고 언급했습니다.
AMD는 단순히 EXPO ULL가 G.Skill, Kingston, Klevv, Lexar, Origin Code, TeamGroup, V-Color, XPG를 포함한 주요 메모리 파트너를 통해 "곧 출시될 것"이라고 말합니다.
ULL에 대해서는 여전히 몇 가지 의문점이 남아 있으며, 우리는 Computex 2026 현장에서 더 많은 정보를 알 수 있기를 희망합니다. 아마도 ULL는 기존의 EXPO DIMM에 소급 적용되는 기능이 아니라, 향후 도입될 새로운 표준일 것으로 추정됩니다. 다만, AMD가 이를 공식적으로 확인해주지는 않았습니다.
또한, ULL가 표준 EXPO 대비 어떻게 4%의 추가 성능을 찾아내는지에 대해서도 아직 알지 못합니다. AMD가 테스트한 게임의 범위와 CAS Latency (CAS 지연 시간) 설정이 매우 광범위하다는 점을 고려할 때, ULL가 모든 게임에서 이점을 보여주지 못할 가능성도 큽니다. 하지만 AMD의 1% Low (1% 최저 프레임) 결과가 입증하듯, 부드러움 측면에서는 더 나은 향상을 확인할 수 있을 것입니다.
Tom’s Hardware는 현재 Computex가 열리는 타이베이에 현지 파견되어 있으며, 이곳에서 AMD를 만나 EXPO ULL에 대해 더 자세히 알아보고, 새롭게 발표된 __Ryzen 7 7700X3D 및 재출시된 Ryzen 7 5800X3D__에 대해서도 알아볼 예정입니다.
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