출처 1: https://www.techpowerup.com/350726/chinese-cxmt-to-match-microns-dram-manufacturing-capacity-this-year

중국 메모리 업계의 거물 CXMT가 급속도로 생산 능력을 확장하여 세계 최대 메모리 제조업체 중 하나인 마이크론과 경쟁할 수 있는 수준에 도달했습니다.

시트리니 리서치의 자체 데이터에 따르면, 현재 진행 중인 모든 프로젝트가 예정대로 완료될 경우 CXMT는 2026년 말까지 월 약 35만 개의 DRAM 웨이퍼를 생산할 것으로 예상됩니다. 이는 특히 세계 3대 DRAM 제조업체 중 하나인 마이크론이 생산 능력 확장이 완료될 경우 2026년 말까지 월 약 37만 5천 개의 DRAM 웨이퍼를 생산할 것으로 예상되는 것과 비교해 볼 때 매우 인상적인 수치입니다.

마이크론은 수십 년간 메모리 공급업체로 자리매김해 온 반면, CXMT는 중국의 국내 수요를 충족하기 위해 새롭게 등장한 업체입니다.

특히 놀라운 점은 CXMT가 실제 실리콘 생산이 이루어지는 클린룸을 단 12개월 만에 구축했다는 사실입니다. 이는 일반적인 DRAM 제조업체들이 21~24개월, 거의 1년 이상 더 걸리는 것과 비교하면 매우 이례적인 일입니다. CXMT와 같은 중국 메모리 제조업체들이 직면한 가장 큰 어려움은 전 세계에서 첨단 리소그래피 솔루션을 확보하는 것입니다.

미국 정부가 CXMT에 제재를 가하고 블랙리스트에 올려놓아 최신 EUV 스캐너 접근이 제한되었기 때문입니다. 이에 CXMT는 구형 DUV 리소그래피 장비와 멀티패터닝 기술을 활용하여 EUV 기술 부족을 극복하고 있습니다. 이러한 어려움에도 불구하고 CXMT는 올해 마이크론과 거의 동일한 수의 DRAM 웨이퍼를 생산하며 시장 신규 진입 기업으로서 인상적인 성과를 보여주고 있습니다.

올해 초, CXMT는 8,000 MT/s 속도의 16Gb DDR5 칩 출하를 시작했으며, 이 칩은 67mm² 크기에 0.239Gb/mm²의 데이터 밀도를 제공합니다. G4 DRAM 셀은 CXMT의 이전 세대인 G3보다 크기가 20% 작습니다. 이러한 발전은 23nm(G1) 및 18nm(G2) 공정에서 발전해 온 CXMT의 기술 혁신의 일환입니다.

24Gb 모듈은 현재 양산 중이며, 속도는 약 6,000MT/s로 다소 낮지만 경쟁력 있는 성능을 보이고 있습니다. 또한, CXMT는 12Gb 및 16Gb 용량의 LPDDR5X-10667 DRAM 모듈도 양산하고 있습니다. 이러한 생산량 증가는 주로 인공지능(AI) 분야의 수요에 힘입은 것입니다.

마지막으로, 보고서는 중국 정부가 CXMT가 자사의 DRAM 기술 IP를 JHICC, Swaysure, YTMC 자회사인 XMC 등 다른 중국 DRAM 제조업체에 이전하도록 장려하고 있다고 언급합니다. 이는 CXMT가 설계한 DRAM이 EU 및 미국 등 다른 시장에 진출하기 전에 중국내 메모리 부족 현상을 완화하기 위한 조치입니다.