Gallium and Germanium

SCMP의 보도에 따르면, 중국 최고인민법원은 금요일, 쑤저우(Suzhou)에 본사를 둔 경쟁사 Innoscience가 제기한 특허 소송에서 Infineon이 분쟁 중인 질화갈륨 (GaN) 제품을 중국 본토에서 판매하는 것을 금지하는 가처분 결정을 유지하며 최종 판결을 내렸습니다. 두 회사 모두 Nvidia의 800V AI 랙 전력 공급(power delivery) 승인 공급업체 목록에 올라 있으며, 이번 판결은 각 측이 서로 다른 관할권에서 승리를 거두었던 1년간의 소송 종지부를 찍었습니다.

법원은 Infineon이 Innoscience의 발명 특허 2개를 침해했다고 판단한 쑤저우 중급인민법원의 5월 27일 판결을 유지하며, Infineon에 해당 제품의 판매, 제공 및 수입을 중단하고 1,000만 위안(약 148만 달러)의 손해 배상금을 지급할 것을 명령했습니다.

지난 5월, 미국 국제무역위원회 (ITC) 전체 위원회는 Innoscience가 Infineon의 특허를 침해했다는 이전 결정을 확정하고, 60일간의 대통령 검토 기간을 거쳐 수입 및 판매 금지를 명령했습니다. Innoscience는 동일한 ITC 결정이 자사의 재설계된 현재 제품들에 대해서는 면죄부를 주었으며, 미국의 출하가 중단 없이 계속되고 있다고 밝히며 이 영향에 대해 이의를 제기하고 있습니다. 뮌헨 지방법원에서 진행 중인 독일 사례가 세 번째 전선이 되었으며, 이곳의 판사들은 2025년에 Innoscience의 침해를 발견했으며, 이번 달에 추가적인 특허 및 실용신안 재판이 예정되어 있습니다.

Infineon의 GaN Systems 사업부 부사장 겸 책임자인 Johannes Schoiswohl은 ITC 판결에 대한 5월 성명에서 "이번 결정은 Infineon의 지식재산권 (intellectual property)의 견고함을 다시 한번 강조합니다"라고 말했습니다.

GaN은 Nvidia가 54V 랙 분배(rack distribution) 방식에서 벗어나, 200kW를 넘어 메가와트(megawatt)급으로 향하는 랙을 위한 800VDC 아키텍처로 전환하는 데 동력을 제공하는 핵심 소재입니다. 랙 전압을 800V로 높이면 변환 체인(conversion chain) 전반에 걸쳐 전류와 구리 사용량을 줄일 수 있으며, GaN의 더 빠른 스위칭(switching)은 랙과 GPU 코어 사이의 전력 단계(power stages)를 축소합니다. Infineon과 Innoscience는 Texas Instruments, Navitas, onsemi와 함께 해당 전환을 위한 Nvidia의 실리콘 공급업체 명단에 올라 있습니다.

TrendForce 데이터에 따르면, Innoscience는 2024년 글로벌 GaN 전력 소자(power-device) 시장에서 29.9%의 점유율로 선두를 달렸으며, Infineon은 10.3%로 4위를 기록했습니다. Infineon은 Suzhou와 Zhuhai에 위치한 Innoscience의 8인치 팹(fabs)에 맞서, 300mm GaN-on-silicon 제조 기술과 약 450개의 GaN 특허 패밀리(patent families)로 대응하고 있습니다. 연례 보고서에 따르면, 중국 본토, 홍콩, 대만은 Infineon의 2025 회계연도 매출의 38%를 차지했습니다.

이번 판결의 영향으로 월요일 홍콩 상장사인 Innoscience의 주가는 16.6% 상승했으며, 상하이 상장 화합물 반도체(compound-semiconductor) 제조사인 Silan Microelectronics와 Sanan Optoelectronics는 각각 일일 상한가인 10%를 기록했고, 전력 칩 제조사인 China Resources Microelectronics는 약 13% 상승했습니다.

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Luke James는 프리랜서 작가이자 저널리스트입니다. 법률 분야의 배경을 가지고 있지만, 기술 전반, 특히 하드웨어와 마이크로일렉트로닉스(microelectronics), 그리고 모든 규제 관련 사항에 개인적인 관심을 가지고 있습니다.