인텔의 전 CEO인 팻 겔싱어는 HBM이 형편없는 비트 밀도와 열 및 해안선 대역폭 문제를 가진 "끔찍한 메모리"라고 비판했으며, 나냐는

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인텔의 전 CEO는 HBM을 "현재로서는 최선의 기술"이라고는 하지만 결함이 있는 메모리 아키텍처라고 다시 한번 비판했습니다. 한편, 일반 DRAM 생산을 줄이고 HBM 생산으로 전환하는 추세가 지속됨에 따라, 나냐는 DRAM 부족 현상이 2028년 초까지 지속될 것이라고 재차 강조했습니다.

지난 7월 HBM을 "형편없는" 솔루션이라고 비판했던 인텔의 전 CEO 팻 겔싱어가 최근 다시 한번 비판의 수위를 높였습니다.

인텔의 전 최고 경영자가 a16Z와의 광범위한 인터뷰 에서 고대역폭 메모리(HBM) 솔루션에 대해 신랄한 비판을 가하며 다음과 같이 언급했습니다.

"HBM은 끔찍한 메모리입니다. 그나마 우리가 가진 최고의 메모리이긴 하지만요. … ​​정말 형편없는 메모리입니다. 아시다시피 비트 밀도가 너무 낮고, 해안선 대역폭에 제약이 있고, 전력 문제, 발열 문제도 있죠. DRAM은 뜨거워지는 걸 좋아하지 않습니다. 모든 데이터가 한 곳에 집중되니까요. … 메모리 연산 작업 부하가 큰 AI에는 최악입니다."

잘 모르시는 분들을 위해 설명드리자면, PHY(물리 계층 인터페이스)는 GPU/ASIC의 핵심 로직과 HBM 스택 사이의 물리적 변환기 역할을 하며, 컴퓨팅 다이의 유한한 경계, 즉 "해안선"으로 인해 발생하는 물리적 및 아키텍처적 병목 현상인 "해안선 대역폭 문제 "의 주요 원인입니다.

HBM은 엄청난 수의 병렬 연결을 필요로 하는 "넓고 느린" 아키텍처입니다. 예를 들어, HBM3/3E는 버스 폭이 1,024비트인 반면, HBM4는 버스 폭이 2,048비트까지 증가합니다. 따라서 단일 HBM 인터페이스에 수많은 물리적 연결/핀(마이크로 범프)이 존재하고, PHY에 이러한 각 핀에 대한 드라이버, 수신기 및 라우팅 로직이 포함되어 있다는 것은 놀라운 일이 아닙니다.

결과적으로, PHY는 컴퓨팅 다이의 가장자리(해안선)에 거대하고 견고한 직사각형 실리콘 블록을 차지합니다. 그리고 바로 이 경계선이 칩 옆에 배치할 수 있는 HBM 스택의 개수를 엄격하게 제한합니다. 또한, 컴퓨팅 다이의 가장자리 중 일반적으로 두 부분만 HBM에 할당할 수 있으며, 나머지 두 부분은 시스템 I/O에 사용되므로 해안선 대역폭 문제가 더욱 심화됩니다.

이러한 제약 조건에도 불구하고, PHY는 HBM 효율을 크게 저하시킬 수 있는 열 핫스팟을 생성합니다. 예를 들어, KAIST의 열 분석 에 따르면 메모리 사용률이 낮을 때는 GPU 코어가 주요 발열원이지만, HBM 전력 소비량이 약 30와트를 초과하면 HBM PHY 자체에서 발생하는 열이 메모리 열 스트레스의 주요 원인이 됩니다.

마지막으로, HBM 스택의 개별 DRAM 다이는 수많은 TSV(Through Silicon Via)를 통해 연결되어야 하므로 단일 다이에 배치할 수 있는 메모리 셀의 수가 줄어듭니다. 따라서 전체 스택이 제곱밀리미터당 밀도를 높이는 반면, 각 DRAM 다이의 비트 밀도는 상당히 낮습니다.

참고로, 팻 겔싱어는 지난 7월 RAISE 서밋에서 HBM이 "형편없는" 메모리 라고 언급하며 비슷한 비판적인 발언을 했습니다 .

"고대역폭 메모리(HBM)에 대해 들어보셨을 겁니다. 그런데 HBM은 형편없는 메모리입니다. 제 메모리 전문가들이 곧 무대에 오실 텐데, 그들의 혁신적인 기술을 비판하는 건 친구를 사귀거나 영향력을 행사하는 데 좋은 방법은 아닐지 몰라도, 어쨌든 형편없는 메모리인 건 맞습니다."

한편, HBM은 비슷한 크기의 일반 DRAM보다 약 3배 많은 웨이퍼를 소비하는 것으로 이미 알려져 있습니다. 이로 인해 일반 DRAM의 만성적인 공급 부족 현상이 발생했으며, 최근 실적 발표에서 난야(Nanya)는 AI가 메모리 산업 전반에 구조적 변화를 가져오고 있으며, 그 결과 DRAM 부족 현상이 2028년 초까지 지속될 가능성이 높다고 지적하며 이러한 우려에 힘을 실었습니다 .