삼성, AI 데이터센터/추론용 zNAND-T, zNAND-I로 zNAND 라인업 확대

AI 워크로드가 더욱 특화된 메모리 솔루션에 대한 수요를 견인하는 가운데, 삼성전자가 서로 다른 성능 요구 사항을 충족하기 위해 차세대 낸드 플래시 포트폴리오를 확장하고 있는 것으로 전해집니다. ZDNet이 업계 소식통을 인용해 보도한 바에 따르면, 이 회사는 zNAND-O, zNAND-T, zNAND-I 세 가지 zNAND 제품을 개발하는 초기 단계에 있으며, 각각 서로 다른 AI 응용처를 겨냥합니다.

삼성이 아직 zNAND-T와 zNAND-I를 공식 발표하지는 않았지만, 둘 다 개발 중인 것으로 전해집니다. zNAND-T는 고용량·고성능 AI 데이터센터를 위한 처리량과 대역폭 극대화에 중점을 둡니다. zNAND-O와 유사하게, 이 제품은 실리콘 관통 전극(TSV)으로 연결된 수직 적층 낸드 다이를 사용하는데, 이는 흔히 고대역폭 플래시(HBF)와 연관되는 아키텍처라고 보도는 짚습니다.

한편 zNAND-I는 초당 입출력 처리 횟수(IOPS)를 극대화하도록 설계되었는데, IOPS는 저장 장치가 매초 완료할 수 있는 읽기·쓰기 작업의 수를 나타내는 척도입니다. 일정 기간 동안 전송할 수 있는 데이터 양을 측정하는 대역폭과 달리, IOPS는 개별 작업을 얼마나 자주 수행할 수 있는지를 반영합니다. 보도에 따르면, 이 덕분에 고IOPS 낸드는 키-값(KV) 캐시처럼 소량의 임시 데이터에 빈번하게 접근해야 하는 AI 추론 워크로드에 특히 적합합니다.

삼성, TSV 기반 설계로 2028년 zNAND-O 샘플 목표

삼성은 앞서 8월 미국의 한 메모리 업계 행사에서 zNAND-O 목업을 공개했습니다. 온디바이스 AI를 위해 설계된 zNAND-O는 TSV를 사용해 4개 또는 8개의 낸드 다이를 수직으로 적층하여, 데이터 전송 경로를 단축함으로써 속도와 전력 효율을 개선한다고 보도는 짚습니다.

NewsPim에 따르면, 삼성은 이 설계를 기반으로 zNAND-O로 D램의 10배 비트 밀도와, 일반 낸드의 7배 읽기 대역폭 및 전력 효율을 달성하는 것을 목표로 합니다. 이 제품은 D램에 준하는 속도와 낸드의 고용량 저장을 결합하여, 생성형 AI와 대규모 언어 모델(LLM)에서 커지는 데이터 처리 수요에 대응하도록 설계되었습니다. 삼성은 2028년에 zNAND-O 샘플 공급을 시작할 계획이라고 NewsPim 보도는 덧붙입니다.

SK하이닉스, 성능·밀도·대역폭을 겨냥한 세 가지 AI-NAND 제품 개발

서로 다른 AI 워크로드에 맞춘 낸드 제품을 개발하는 것은 삼성만이 아닙니다. ZDNet에 따르면, SK하이닉스는 2025년 하반기에 AI-NAND(AIN) 제품군을 구축했으며, 이는 AIN P(Performance), AIN D(Density), AIN B(Bandwidth) 세 가지 카테고리로 구성됩니다. AIN P는 성능에 중점을 두며, SK하이닉스는 최대 1억 IOPS를 겨냥한 제품을 개발하고 있습니다. AIN D는 SSD 저장 밀도를 우선시하며, 최대 페타바이트(PB) 수준의 용량을 목표로 합니다. 한편 AIN B는 HBF와 마찬가지로 대역폭 개선에 중점을 둡니다.

※ 퀘이사존 공식 기사가 아닌 해외 뉴스/기사를 번역한 것으로, 퀘이사존 견해와 주관은 포함되어 있지 않습니다.