삼성은 세계 최초로 900단 초고층 3D NAND 플래시 메모리 프로토타입 개발에 성공

요약

삼성전자가 셀 다층 접합(CMB) 기술을 활용해 세계 최초로 900단 초고층 3D NAND 플래시 메모리 프로토타입 개발에 성공했습니다. 450층 웨이퍼 두 장을 수직으로 통합하여 기존 적층 방식의 한계를 극복하고 저장 밀도를 극대화했습니다.

현지 언론 보도에 따르면 삼성전자는 최근 셀 다층 접합(CMB) 기술을 이용해 450층 3D NAND 칩 두 개를 연결하여 세계 최초로 900층 초고층 3D NAND 플래시 메모리 프로토타입을 제작했습니다. 이 샘플의 메모리 셀은 작동 특성을 검증받았습니다.

이 기술의 핵심은 450층 웨이퍼 두 장을 수직으로 통합하여 기존의 단일 적층 방식의 한계를 뛰어넘는 것입니다.

삼성이 자체 개발한 "탑척" 기술은 고층 적층 시 웨이퍼 휨 문제를 해결하고, 새로운 오버레이 보정 기술은 접합 정렬 오류를 나노미터 수준으로 제어하여 수율을 보장합니다.

비트 라인(BL)과 워드 라인(WL) 구조를 동시에 최적화하면 칩의 전력 소비와 크기를 줄이면서 밀도를 높일 수 있습니다.

AI 서버, 데이터 센터 SSD, 고성능 휴대폰 저장 장치의 핵심인 3D NAND 레이어 수는 저장 밀도를 직접적으로 결정합니다.

현재 SK하이닉스는 321단 4D NAND로 양산 시장을 선도하고 있으며, 삼성은 올해 400단 이상의 10세대 V-NAND 양산을 계획하고 있습니다. 이번 900단 프로토타입은 두 회사 간의 기술 격차를 더욱 벌릴 것입니다.

하드웨어에 미치고 유저들을 사랑하는 남자, 퀘이사존 최고운영자 지름입니다.

본 뉴스는 해외 매체의 단순 번역본으로 퀘이사존의 주관적인 견해가 포함되지 않았음을 밝혀드립니다.

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원문 출처 mydrivers

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