밤사이 나온 반도체 메모리 소식
요약
메모리 섹터가 호황을 보이면서 HBM 시장이 급성장하고 있습니다. 삼성전자는 내년 HBM4 가격을 제시하며 높은 성장세를 예고했고, TrendForce와 UBS 등 주요 기관들은 HBM 판매 가격의 큰 폭 상승과 특정 기업들의 점유율 변화를 예측했습니다. 또한 Micron은 커스텀 NVHBM 개발에 집중하고 있으며, 삼성전자는 열 관리를 위한 차세대 기술 개발에 착수했습니다.
핵심 포인트
- 삼성전자, 내년 HBM4 가격을 Gb당 4달러대 중후반으로 제시
- TrendForce 예측: 내년 평균 HBM 판매 가격 121% 상승 예상
- HBM 시장은 세대 변화와 공급 부족에 힘입어 급성장 전망
- Micron, NVIDIA와 커스텀 NVHBM 공동 개발 및 TSMC 아웃소싱 활용
오늘도 메모리 섹터가 호황입니다.
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삼성전자는 내년 HBM4를 Gb당 4달러대 중후반으로 제시했습니다.
HBM3E(약 1.5달러)의 3배 이상 수준입니다.
속도는 안정적으로 11.7Gbps, 피크는 13Gbps로 예상됩니다.
연간 계약 협상은 이달 중 마무리될 예정입니다. -
TrendForce에 따르면 내년 평균 HBM 판매 가격이 121% 상승할 것으로 예측했습니다.
이는 세대 변화와 공급 부족 현상이 가격에 동시에 반영된 결과입니다. -
UBS는 2027년까지 삼성전자가 41%의 HBM 점유율로 선두를 차지하고 SK hynix가 37%를 차지할 것으로 예측했습니다.
올해 말 기준으로는 SK hynix가 48%, 삼성전자가 31%를 기록했습니다.
같은 날 Counterpoint에 따르면 Q2 DRAM 매출 점유율은 삼성전자 38%, SK hynix 25%, Micron이 24%였습니다. -
Micron은 대만 내 4개 사이트에서 HBM 확대를 가속화하고 있습니다.
NVIDIA와 함께 커스텀 NVHBM을 공동 개발하며, 베이스 다이는 TSMC에 아웃소싱합니다. -
삼성전자는 HBM4E를 위해 다양한 냉각 기술 개발에 착수했습니다.
패키지가 커지고 열이 증가함에 따라 차세대 스택에서는 열 병목 현상이 대량 생산의 변수로 떠오르고 있습니다.
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