요약

본 논문은 5G, 6G 등 차세대 시스템에 필수적인 100 GHz 미만의 밀리미터파(mm-wave) 및 100 GHz 이상의 서브 테라헤르츠/테라헤르츠(sub-THz/THz) 발진기의 최신 발전 동향을 포괄적으로 검토합니다. CMOS, SiGe, III-V 등 다양한 반도체 기술 기반의 설계 접근 방식을 성능 지표(위상 잡음, 출력 전력, 효율성 등)를 기준으로 분석하며, 고성능 및 신뢰성 확보에 필요한 주요 과제와 미래 방향성을 제시합니다.

핵심 포인트

• 본 검토는 5G/6G 이후 세대 통신을 위한 mm-wave 및 sub-THz/THz 발진기 기술 동향을 다룹니다.
• CMOS, SiGe, III-V 등 다양한 반도체 플랫폼의 설계 접근 방식과 성능 비교를 제공합니다.
• 발진기의 핵심 성능 지표(위상 잡음, 출력 전력, 효율성, 안정성)에 초점을 맞춰 기술적 과제를 분석합니다.
• 미래 통신 및 컴퓨팅 응용을 위한 견고한 고주파 발진기 설계 방향성을 제시하는 것을 목표로 합니다.