[단독] 삼성전자가 D램 '마의 10나노 벽' 돌파...첫 워킹다이 추출 성공
요약
삼성전자가 D램 공정 기술에서 장벽으로 여겨졌던 10나노 공정의 한계를 극복했다고 단독 보도되었습니다. 이 성취는 기존에 극복하기 어려웠던 10나노 공정의 한계를 넘어서는 데 성공했다는 것을 의미하며, 이를 입증하기 위해 첫 번째 '워킹다이(Working Die)'를 성공적으로 추출했습니다.
핵심 포인트
- 삼성전자가 D램 공정 기술에서 '마의 10나노 벽'을 돌파하는 기술적 성취를 이루었습니다.
- 기존에 극복하기 어려웠던 10나노 공정의 한계를 성공적으로 넘어서는 데 성공했습니다.
- 기술의 가능성을 입증하기 위해 첫 번째 워킹다이(Working Die) 추출에 성공했습니다.
[단독] D램 '마의 10나노 벽' 뚫은 삼성전자...첫 워킹다이 뽑았다
QM포시포시
2026.04.24 15:53
본문 요약
삼성전자가 D램(DRAM) 공정 기술에서 '마의 10나노 벽'을 돌파했다고 단독 보도되었습니다.
주요 내용
- 기술적 성취: 삼성전자는 기존에 극복하기 어려웠던 10나노 공정의 한계를 넘어서는 데 성공했습니다.
- 실증 결과: 이 기술의 가능성을 입증하기 위해 첫 번째 '워킹다이(Working Die, 실제 동작이 가능한 웨이퍼)'를 성공적으로 추출했습니다.
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