같은 발열 문제를 놓고 삼성은 칩을 뜯고, 화웨이는 접기로 했다.

안될공학이 정리한 스마트폰 칩 전쟁의 최신 국면인데, 두 회사가 정반대로 움직이는 이유가 흥미롭다. 스마트폰 AP는 수십 년간 보드 면적을 아끼려 칩 위에 D램을 쌓아왔는데(PoP), 이 구조가 열을 가둔다 — AP의 열이 열전도 나쁜 D램 패키지를 뚫고 나가야 해서, 성능이 오를수록 스로틀링이 빨라진다.

삼성의 답은 열의 길을 넓히는 것이다. 엑시노스 2600에서 D램을 절반으로 줄여 비켜 놓고 그 자리에 구리 히트패스블록을 심어 패키지 열저항을 최대 16% 낮췄고, 차기 2700에선 D램을 아예 떼어낸다는 루머까지 나왔다(단일 유출, 신뢰도 절반짜리라는 단서 포함). 애플도 아이폰18의 A20에서 비슷한 방향(WMCM)이 거론된다. 반대로 화웨이는 회로 자체를 위아래 두 층으로 접는 "로직 폴딩"을 공개했다 — 배선이 30% 짧아져 주파수 +13%, 전력효율 +41%라는 자사 수치인데, 함정 두 개를 조심해야 한다. 접합 간격 1.5μm를 1.5nm 공정으로 오독하면 안 되고(1,000배 차이), 밀도가 "1.4nm급 등가"가 되는 목표 시점도 2031년이다.

방향은 반대지만 결론은 하나다 — 미세공정의 시대가 저물면서, 이제 성능은 트랜지스터 크기가 아니라 신호가 얼마나 짧게 돌고 열이 얼마나 곧게 빠지느냐가 정한다. 반도체 전쟁의 다음 라운드는 패키징이다.